第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地，目前我國正迎來發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計、晶圓制造加工裝備、封測，正加速實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場，但國產(chǎn)自給率較低，行業(yè)仍存巨大供需缺口，國產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。

 

為了更好的把握時機推進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸，引領(lǐng)技術(shù)及市場風(fēng)向，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領(lǐng)域的技術(shù)進展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代，屆時邀請行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進行研究、分享、交流。誠摯歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。

 

會議時間：2021年9月13-14日 

會議地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號）

聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

              張小姐13681329411，zhangww@casmita.com

 

 

 

主辦單位

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號

 

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

 

 

 

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，因其在國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用，正成為世界各國競爭的技術(shù)制高點。但受工藝、成本等因素限制，多年來僅限于小范圍應(yīng)用。

 

近年來，隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場： SiC肖特基二極管器件開始應(yīng)用于新能源汽車及高端電源市場，包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器等，GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年是全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展期，基于第三代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景，也是我國能否實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵期。

 

由于功率半導(dǎo)體器件在實現(xiàn)電能高效利用、節(jié)能減排、建設(shè)資源節(jié)約型社會方面發(fā)揮著不可替代的作用。國家各級政府紛紛出臺政策護航產(chǎn)業(yè)發(fā)展，一批針對性扶持措施開始顯效，將會不斷推動功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的技術(shù)進步，形成先進技術(shù)的自有知識產(chǎn)權(quán)，優(yōu)化國產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

 

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。隨著5G帶來的萬物互聯(lián)及基地臺、數(shù)據(jù)中心數(shù)量的迅速增長，以及汽車電子化程度的持續(xù)提升，帶動功率半導(dǎo)體市場實現(xiàn)較快增長。

 

在新能源汽車應(yīng)用以及PD快充市場爆發(fā)的強力帶動下，2020年國內(nèi)SiC、GaN電力電子器件市場規(guī)模較上年同比增長90%，未來5年將以45%的復(fù)合增長率增長至300億。根據(jù)CASA Research第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告（2020）表明：2020年我國第三代半導(dǎo)體電力電子與射頻總產(chǎn)值已經(jīng)超過100億元 。SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達44.7億元，同比增長54%；GaN微波射頻產(chǎn)值達到60.8億元，同比增長80.3%。“十四五”科技計劃中將建設(shè)“面向大數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的GaN基高效功率電子，應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心電源的GaN電力電子器件”提上日程，未來這個市場將迎來高速增長。

 

隨著國內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)內(nèi)高端產(chǎn)品的核心技術(shù)，我國功率半導(dǎo)體器件對進口的依賴將會減弱，進口替代的市場機遇逐漸顯現(xiàn)。功率半導(dǎo)體器件是國民經(jīng)濟中各行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)元器件，其技術(shù)進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬既能夠促進工業(yè)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級，也為居民生活帶來更多便利和舒適。

 

目前，第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地，目前我國正迎來發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計、晶圓制造加工裝備、封測，幾乎可以實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場，但國產(chǎn)自給率較低，行業(yè)仍存巨大供需缺口，國產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。

 

為了更好的把握時機推進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸，引領(lǐng)技術(shù)及市場風(fēng)向。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等單位的指導(dǎo)下，擬定于2021年在南京組織召開“2021功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）” 邀請行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進行研究、分享、交流。歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。

 

四、報告嘉賓&主題報告：