的混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結合了成熟的工業標準功率模塊和封裝技術的優點。得益于多種封裝優化，碳化硅的各種優點得以充分利用。

模塊換向電感降低可以實現SiC MOSFET的全速開關。更高的開關速度可以轉換成更高的開關頻率，從而得到更小的磁性過濾器 元件。同時可以降低開關損耗，提高系統效率。精密的材料和封裝技術可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實現更高的功率密度。

碳化硅功率模塊的關鍵特性

更高的開關頻率，夠優化濾波元件并降低其成本

冷卻設備更緊湊，降低功率損耗，從而提升效率并降低系統成本和規模

最新的碳化硅SiC MOSFET芯片

標準工業封裝，按照碳化硅的要求進行優化：電感，低熱阻

針對實際應用優化芯片組 

碳化硅功率模塊的應用 

太陽能逆變器：升壓電路和逆變器應用

儲能系統：大效率和低噪聲

UPS：高效雙轉換系統

電機驅動器：主動前端與電機側（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全橋和半橋）

電源：牽引應用、感應加熱等的助電源

領先的芯片和封裝技術，實現最大能效

混合碳化硅模塊：功率損耗降低50%，用簡便

IGBT開關與碳化硅肖特基二極管相結合

幾乎沒有二極管損耗，并顯著減少IGBT開關損耗

高速IGBT和碳化硅肖特基二極管使關損耗降低50%

輕松實現成本優化的碳化硅解決方案：動器或系統無需進行重大設計變更，使用的碳化硅芯片面積小，能夠限制成本 

參考：太陽能逆變器，儲能系統，大功率汽車充電站，高效、高速電機驅動。