盡管InGaN基藍(lán)光和綠光LED都已商用量產(chǎn)，但紅光LED通常基于AlInGaP材料或顏色轉(zhuǎn)換的紅光。對(duì)于AR應(yīng)用來說，由于AlInGaP材料的嚴(yán)重邊緣效應(yīng)和顏色轉(zhuǎn)換過程造成的腔損耗，實(shí)現(xiàn)高效超小間距紅色像素（《5 μm）仍然遙不可及。

 

 

 

　　來源：Plessey

 

　　與現(xiàn)有的基于AlInGaP的紅光相比，基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴(kuò)展至更大的200 mm或300 mm晶圓以及更好的熱/冷系數(shù)，因此具有極大的吸引力。然而，由于銦含量高，在有源區(qū)中引起顯著的應(yīng)變，從而降低了晶體質(zhì)量并產(chǎn)生了許多缺陷，因此，使用InGaN材料實(shí)現(xiàn)紅色光譜發(fā)射具有挑戰(zhàn)性。Plessey通過使用專有的應(yīng)變?cè)O(shè)計(jì)的有源區(qū)來制造高效的InGaN Red LED，成功克服了這些挑戰(zhàn)。

 

　　Plessey的InGaN Red Micro LED在10 A/cm2時(shí)的波長為630 nm，半峰全寬為50 nm，熱冷系數(shù)超過90％，并且在超小像素間距中，其效率高于傳統(tǒng)的AlInGaP和顏色轉(zhuǎn)換的紅光。有了這個(gè)結(jié)果，Plessey現(xiàn)在可以制造天然的藍(lán)、綠和紅InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平臺(tái)調(diào)諧400至650 nm的波長。

　　來源：Plessey

 

　　Plessey外延和高級(jí)產(chǎn)品開發(fā)總監(jiān)Wei Sin Tan表示：“這是一個(gè)令人振奮的結(jié)果，因?yàn)樗鼮榈统杀局圃斐￠g距和高效的Red InGaN像素提供了一條途徑，將加速M(fèi)icro LED在AR微型顯示器和移動(dòng)/大型顯示器應(yīng)用中的采用。”