2020年3月3日，中國電科(山西)碳化硅材料產業基地一期項目投產。

 

　　項目于2019年4月1日開工建設， 9月26日封頂。建筑面積 2.7 萬平方米，能容納 600 臺碳化硅單晶生產爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力，可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產能。

 

　　自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。

 

　　2、積塔6 英寸碳化硅生產線

 

　　3月，積塔半導體的6 英寸碳化硅生產線正式測通線運行。

 

　　開工項目

 

　　1月，總投資達到60億元天和通訊（徐州）第三代半導體產業基地舉行了開工儀式。

 

　　該項目主要從事第三代半導體硅基氮化鎵高性能芯片和器件的全產業鏈生產。項目全面達產后，可年產33密耳、55密耳、70密耳芯片200億顆及各類5G芯片共約10億顆。

 

　　2、綠能芯創碳化硅芯片項目

 

　　2020年2月21日，投資20億元的綠能芯創碳化硅芯片項目在山東淄博高新區開工。

 

　　項目建設的6英寸碳化硅芯片生產線，，主要從事大功率分立器件、芯片系列產品的設計、制造，以及功率模塊應用、制造流程的研發

 

　　3、博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目

 

　　2020年3月3日，投資25億元的嘉興博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工啟動。

 

　　項目一期建設6英寸兼容4英寸氮化鎵生產線，設計月產能為1000片氮化鎵射頻晶圓；二期建設6英寸兼容4英寸氮化鎵生產線和外延片生產線，設計月產能為3000片氮化鎵射頻晶圓、月產能20000片氮化鎵功率晶圓。

 

　　簽約項目

 

　　1、高啟電子氮化鎵外延片項目

 

　　1月18日，第三代半導體外延片生產線項目簽約。項目由許昌高啟電子科技有限責任公司投資，以研發、生產全球半導體領域最前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。

 

　　許昌高啟電子科技有限責任公司成立于2019年12月30日，注冊資本3億元，董事長徐志成。

 

　　2、泰科天潤運營總部及碳化硅器件生產基地項目

 

　　2月，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司和中關村科技園區順義園管理委員會簽訂項目入區協議。公司將整體遷入順義區，在臨空國際板塊占地20畝，總投資4億元，建設運營總部及應用于新能源汽車、國家電網等領域的碳化硅器件生產基地，項目建設期2年。

 

　　3、徐州碳化硅功率半導體模塊封測及封裝材料研發項目

 

　　2020年2月17日，投資3億元的碳化硅功率半導體模塊封測及封裝材料研發項目簽約江蘇徐州高新區。項目主要從事碳化硅（SiC）功率半導體模塊的封測，研發生產耐高溫、耐腐蝕的先進封裝材料，一期項目建成投產后，年產碳化硅模塊約20萬只；二期項目建成投產后，可年產碳化硅模塊約50萬只。

 

　　4、海寧碳化硅材料研發及制造項目

 

　　2020年2月21日，投資2億美元碳化硅材料研發及制造項目簽約浙江海寧。項目主要從事炭化硅材料研發及制造。

 

　　5、吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目

 

　　2020年2月21日，投資37億元的吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目簽約江蘇無錫。項目主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發和生產。

 

　　吳越半導體成立于2019年3月13日，注冊資金588萬元。

 

　　3月，合肥產投資本管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司簽署投資協議并完成首期出資，在合肥高新區投資建設6英寸碳化硅單晶生長及加工項目。這是合肥首個第三代半導體產業項目。

 

　　北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年，總部位于北京經濟技術開發區，是國家大基金在第三代半導體領域投資的重點企業之一，2018年6月，大基金投資2957萬元，持股10.55%。

 

　　7、同光晶體碳化硅單晶襯底項目

 

　　3月22日，河北同光晶體有限公司年產10萬片碳化硅單晶襯底項目簽約淶源。項目主要生產直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底。

 

　　河北同光晶體有限公司成立于2012年，位于保定市高新技術開發區，主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發和生產。公司主要產品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化硅襯底。