說真話，日本半導體廠商，尤為是在處分器生產方面，乃至計劃封裝方面，都沒有能夠拿得脫手的企業，緣故固然在于美國對日本半導體家當的打壓，這些工作要緊產生在前些年，而若因此覺得日本在半導體家當，毫無輕重的話，那就大錯特錯了。
氮化鎵日本在半導體家當上的上風要緊密集在半導體質料方面，也即是半導體家當的上游，并且上風龐大，到達了能夠擺布半導體家當開展的境界。
恰是由于日本半導體家當在上游的龐大上風，因此才會發現日本對韓國半導體家當舉行打壓的環境發現，也讓人們發掘，日本在半導體家當上的上風，很值得眷注，而不是被絕不起眼地輕忽掉！
氮化鎵固然，這要緊是由于這些年，日本在半導體質料上的連接立異。
而當今日本在氮化鎵的研制方面又有了新的沖破，將有大概帶來半導體家當的又一次革新。即日，日本東北大學、日本制鋼所公司和三菱化學公司同盟開辟出了一種氮化鎵單晶基板量產技巧：低壓酸性氨熱法。
氮化鎵經歷低壓酸性氨熱法，能夠完成直徑2英寸以上的氮化鎵單晶基板的量產。而這種基板，具備高純度、大口徑、晶體鑲嵌性低、基板險些沒有曲翹的優越晶體布局特征。若能遍及，將助力機能優秀、成熟鞏固的氮化鎵垂直功率晶體管進來適用化階段。日本在半導體家當上的存在要緊密集在上游區域，好比少許焦點的環節質料，晶圓、特種氣體等方面，有著很大的上風，這要緊即是在于日本企業在家當鏈的上游舉行了長光陰的技術蘊蓄堆積。
氮化鎵并且日本半導體質料廠商所垂青的并不是短期長處，而是家當鏈上游的永遠技術以及履歷蘊蓄堆積，這會造成他們造成家當上游的把持，而一旦這種把持確立起來以后，而一旦這種技術上風確立起來以后，就會造成把持，帶來龐大的利潤，這是咱們的短板。
