瞄準關鍵領域、卡脖子的地方要下苦功夫
金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取得了飛速進步，已經廣泛應用于制備氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其量子結構，極大地推動了光電器件和電子器件的發展及產業化，也成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料與器件研究的關鍵技術。未來MOCVD技術的發展將會給化合物半導體科學技術和產業發展帶來更為廣闊的前景。
同時，MOCVD是LED生產過程中的核心裝備，是決定LED產業發展技術水平的關鍵因素。由于技術含量高，MOCVD設備站在了LED行業價值鏈的頂端，MOCVD設備是專利技術密集型產業，而其核心技術大多掌握在少數企業手中。
高端裝備與核心裝置是“大國重器”，是我國成為制造強國的基礎。國產半導體設備廠商近年來不斷加大自主研發力度，半導體設備國產化比重逐步提升，一些行業龍頭企業也正迎來發展拐點。特別是近年來國產化的大力推進，國產MOCVD設備開始贏得了國內LED芯片廠商的認可。國際設備廠商在中國市場的份額逐漸被國產設備擠壓，并且在技術上也逐漸被國內設備廠商趕上。隨著中國企業的迅速崛起，有信心逐漸打破國際技術封鎖，迎來MOCVD設備及核心技術國產化的高光時刻。
習近平總書記曾說過：“我們的科技創新同國際先進水平還有差距，當年我們依靠自力更生取得巨大成就。現在國力增強了，我們仍要繼續自力更生，核心技術靠化緣是要不來的”。“高端科技就是現代的國之利器。近代以來，西方國家之所以能稱雄世界，一個重要原因就是掌握了高端科技。真正的核心技術是買不來的。”
“一代材料，一代器件，一代工藝，一代裝備”。正值中美貿易戰糾葛時期，核心技術受制于人的中興成了全球熱議焦點。
以此為鑒，MOCVD技術及重大裝備如果不能與世界頂尖水平保持一致， 如果核心元器件嚴重依賴外國，供應鏈的“命門”掌握在別人手里，我國半導體產業將面臨更大的損失。所以，新材料、新技術及新應用不斷涌現的新時代，產業如何順應趨勢發展？科研人員如何緊跟領域前沿做好新材料、新器件、新工藝和新裝備的研發，就要在關鍵領域、卡脖子的地方要下大功夫。
MOCVD作為半導體產業最為核心的重大裝備之一，其技術進步與裝備智能化、國產化將成為產業界共同關注的話題。當前，MOCVD前沿研究技術進展如何，裝備國產化及核心工藝又有哪些新突破？此刻，與MOCVD相關的“政產學研用”各界代表們都需要認真了解一下，全國MOCVD學術會議正是最佳選擇！
三十二年的傳承與積淀，助力產學研用多方位合作
三十二年的傳承與積淀，兩年一次的相聚與暢談，是重逢，更是見證！
作為MOCVD技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學術會議”已經成功舉辦了十五屆，會議規模和影響力越來越大，成為全國學術界和產業界廣泛參與的學術盛會。
今年，在國家科學技術部指導下，江蘇省科學技術廳、安徽省教育廳支持下，由中國有色金屬學會、南京大學、廈門大學、中國科學技術大學、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)聯合主辦，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室、江蘇省2011"固態照明與節能電子學"協同創新中心、教育部光電材料與芯片技術工程中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，安徽大學、黃山學院、西安電子科技大學蕪湖研究院全力協辦的“第十六屆全國MOCVD學術會議”將于8月4-7日在安徽·屯溪舉行。
本屆會議以“先進光電技術·智能綠色制造”為主題，選擇在安徽屯溪舉行，在四天的相聚于暢談中，將與來自祖國大陸和港澳臺地區的與會專家學者、工程技術人員和企業家將在MOCVD生長機理與外延技術、MOCVD設備（整機/部件/配件/原材料）、材料結構與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯網、半導體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學術研究、技術進步及第三代半導體產業發展起到有力的推動作用。
從組委會獲悉，會議報名工作正有序進行中，會議得到了全國各大高校、研究院所及產業鏈各環節企業的大力支持和積極響應。其中，中微公司、亞格盛、中科潞安、AIXTRON、Cross light、德智新材、博藍特、西安電子科技大學蕪湖研究院、布勞恩、華邦化學、Horiba 堀場、先普、翱晶半導體、納維科技、MalvernPanalytical、志橙半導體、隆興達科技、邁塔光電、尚勤光電、普發真空、德儀、威泰克、奧趨光電、中晟光電、正通遠恒、晶湛半導體、頤光科技、桂林雷光等知名半導體公司已經確認出席活動，將助力MOCVD關鍵設備及技術產學研用合作，加速先進光電技術與智能綠色制造國產化進程。
截止目前，會議已收到投稿論文210篇，涉及外延生長機理和生長動力學、半導體材料結構與物性、光電子材料與器件、電子材料與器件、超寬禁帶半導體材料與器件、低維半導體等新型材料與器件、裝備與基礎原材料、襯底、MO源、高純氣體等基礎材料八大方向。全面的論文角度和內容，大大地豐富了本次會議的廣度和深度，也讓會議備受期待。
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