昨日，賽微電子發(fā)布公告稱，其與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》，以共同推進(jìn) 6-8 英寸GaN氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目。

 

公告內(nèi)容顯示，賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資 10 億元分期建設(shè)聚能國(guó)際 6-8 英寸氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目。項(xiàng)目總占地面積 30 畝，一期建成投產(chǎn)后將形成 月產(chǎn) 5000 片6-8英寸 GaN 芯片晶圓的能力，二期建成投產(chǎn)后將形成 12,000 片/月的生產(chǎn)能力。

 

賽微電子表示，該項(xiàng)目一期計(jì)劃建設(shè)周期為 9 個(gè)月，今年底前做好投產(chǎn)前準(zhǔn)備，2022上半年可投入生產(chǎn)，一期產(chǎn)能投產(chǎn)達(dá)效后預(yù)計(jì)可新增年銷售收入 5 億元。

 

賽微電子稱，這一與青州政府的合作項(xiàng)目有利于自身進(jìn)一步完善 GaN 業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈 IDM（垂直整合制造）布局，在現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)鏈合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)能保障，把握 GaN 業(yè)務(wù)發(fā)展的關(guān)鍵機(jī)遇窗口，逐步形成自主可控、全本土化、可持續(xù)拓展的 GaN 材料、設(shè)計(jì)、制造能力。