8月15日晚，斯達半導發布公告稱，擬募資35億元用于高壓特色工藝功率芯片研發及產業化項目、SiC芯片研發及產業化項目、功率半導體模塊生產線自動化改造項目以及補充流動資金。

高壓特色工藝功率芯片研發及產業化項目擬通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設備，用于實施高壓特色工藝功率芯片的研發和產業化項目。項目達產后，預計將形成年產30萬片6英寸高壓特色工藝功率芯片生產能力。

 

SiC芯片研發及產業化項目擬通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、涂膠顯影機、鋁刻蝕機、高溫注入機等設備，開展SiC芯片的研發和產業化。項目達產后，預計將形成年產6萬片6英寸SiC芯片生產能力。

 

功率半導體模塊生產線自動化改造項目擬利用現有廠房實施生產線自動化改造項目，購置全自動劃片機、在線式全自動印刷機、在線式全自動貼片機、在線式全自動真空回流爐、在線式全自動清洗機等設備，實施功率半導體模塊生產線自動化改造項目。項目達產后，預計將形成新增年產400萬片的功率半導體模塊的生產能力。

 

公告指出，2014年，國務院印發了《國家集成電路產業發展推進綱要》，將集成電路產業發展上升為國家戰略，明確了“十三五”期間國內集成電路產業發展的重點及目標。中國作為世界上最大的半導體芯片消費市場，長期以來，集成電路產業嚴重依賴進口，貿易逆差較大。第三代半導體具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點，契合節能減排、智能制造等國家重大戰略需求，已成為全球半導體技術和產業新的競爭焦點。國家先后印發了《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019 版）》《能源技術創新“十三五”規劃》等鼓勵性、支持性政策，將SiC、GaN 和AlN等第三代半導體材料納入重點新材料目錄，推動支持 SiC等第三代半導體材料的制造及應用技術的突破。公司緊跟市場浪潮和政策步伐，加大高壓特色工藝功率芯片研發及產業化投入和 SiC 芯片研發及產業化投入，持續擴大以 IGBT 模塊、SiC 模塊為代表的功率半導體模塊產能，穩固公司行業地位。
 

斯達半導長期致力于IGBT、快恢復二極管、SiC等功率芯片的設計和工藝以及IGBT、SiC等功率模塊的設計、制造和測試。公司的產品廣泛應用于工業控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領域。公司在現有產品結構的基礎上，充分考慮新能源汽車、軌道交通、智能電網等下游行業的需求以及技術方向，以公司現有的技術為依托，實施高壓特色工藝功率芯片研發及產業化項目和SiC芯片研發及產業化項目。項目的實施有利于豐富公司的產品結構，進一步提升公司綜合競爭力。

 

斯達半導是國內IGBT行業的領軍企業，生產的IGBT模塊、SiC模塊已獲得包括新能源汽車客戶在內的眾多客戶認可，進口替代比率持續提高。同時，隨著新能源汽車、新能源發電等行業的需求拉動，以IGBT模塊為代表的功率半導體模塊呈現供不應求的局面。實施以IGBT、SiC 模塊為主的功率半導體模塊生產線自動化改造項目，將進一步擴大公司產能，有助于企業把握市場機遇，提高市場占有率。

 

本次非公開發行股票募集資金部分用于補充流動資金，有利于緩解公司的資金壓力，推進公司業務規模的拓展，保障了公司研發創新及業務擴張等活動的持續正常開展，可進一步優化公司的財務結構，有利于降低公司財務風險，提高公司的償債能力和抗風險能力，保障公司的持續、穩定、健康發展。