近日，山西省商務廳發文指出，第三代半導體SiC實驗室項目方負責人修雷明與陽城開發區初步達成了意向性合作協議。

△來源：山西省商務廳網站截圖

據悉，該項目總投資175億元，占地300畝。啟動資金8000萬元，建設實驗室、測試中心、長晶房、辦公區等約2000平方米，形成月產5000片碳化硅功率芯片制造能力。項目核心團隊是由著名半導體技術專家組成，掌握250多個專利，覆蓋原材料制造、芯片制造、IC設計、SiP封裝等領域，處于全球領先技術水平。

 

至于該項目的投資方及其他具體細節，文章中則并未提及。

 

碳化硅是全球最先進的第三代半導體材料，具有耐高壓、高頻、大功率等優良的物理特性，是衛星通信、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通信基站等重要領域的核心材料，尤其是在航天、軍工、核能等極端環境應用領域里有著不可替代的優勢。

 

“十三五”以來，山西省第三代半導體材料產業不斷發展壯大，山西省省工信廳新材料工業處處長閆林此前介紹，山西在第三代半導體碳化硅單晶襯底材料處于國際領先水平，2020年銷售3萬余片，國內市場占有率達50%以上。

 

據悉，山西省擁有國內最大的碳化硅材料供應基地——中國電科（山西）碳化硅材料產業基地。一期項目于2020年正式量產，一期項目達產后，將形成年產18萬片N型碳化硅單晶晶片、5萬片高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的產能。不僅實現了高純度碳化硅單晶的商業化量產，高純碳化硅粉料純度和晶體良品率亦居于國際先進水平。

 

作為央地合作的重大戰略布局，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地啟動后，將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現碳化硅的完全自主供應。

 

此外，成立于2018年10月的山西爍科晶體有限公司亦實現了5G芯片襯底材料碳化硅的國產自主供應。據山西日報此前報道，山西爍科晶體碳化硅半導體材料產能占據國內第一，市場占有率超過50%。該公司總經理今年5月在接受中央電視臺《新聞聯播》采訪時還透露，正在積極布局第四代的半導體材料。

 

《山西省“十四五”新材料規劃》亦提到，“十四五”期間，重點發展碳化硅、砷化鎵、藍寶石等材料，加快引進器件設計、制造、封裝、測試、應用等產業鏈項目入晉落地，建成國家重要的半導體研發生產基地。