近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。  期間，“超寬禁帶半導體材料“論壇上，西安交通大學電子學院院長助理、副教授李強做了題為“BAlN合金中的相變和帶隙工程”的主題報告，結合具體的數據，分享了最新研究成果。報告指出，采用濺射法制備了高質量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性；制備的hBN薄膜可以在大面積上獲得良好的光滑度；濺射制備的hBN薄膜的RS行為首先在Ag/hBN/Al結構中觀察到；由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVB波段實現高反射；制備了h-BAlN和 w-BAlN，并獲得了相變的證據。

 

李強，從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導體材料（氮化硼BN）的制備與器件應用。第一發明人擁有國家授權發明專利11項，在國內外重要期刊上發表學術論文50余篇。主持國家及省部級項目6項，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。

 

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