半導體產業網獲悉 8月8日，成都高新西區高投芯未高端功率半導體器件及模組研發生產項目建設正式啟動。項目總投資約10億元，建成投產后將為森未科技在內的功率半導體設計企業提供IGBT特色授權委托加工服務，包括IGBT芯片、模組及方案組建產品等，實現年營收9億元。
據成都日報報道，該項目占地30畝，計劃分兩期建設。其中，一期將建設一條8英寸超薄IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）特色背面晶圓線，一條高端功率半導體集成封裝生產線，計劃今年年底完成廠房封頂。一期項目建成后，將形成年產120萬只功率半導體模塊制造能力，10萬套集成組件生產能力。
據了解，按規劃，項目一期計劃2022年底完成廠房封頂，2023年6月完成包括潔凈廠房在內的所有裝修工作。2023年第三季度封裝產線進入聯調階段，2023年第四季度投入試生產。2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圓特色工藝平臺也將投入使用。二期擴產建設預計將于2025年啟動。
