11月22日，世界先進宣布，其領先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，為特殊集成電路制造服務領域首家量產此技術的公司。世界先進說明，公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能與公司既有的八英寸硅晶圓機臺設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。

　　世界先進指出，2018年以Qromis基板技術（簡稱QST TM）進行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程開發，于今年第一季開發完成，于第四季成功量產，世界先進同時已和海內外整合元件制造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。

 

　　QST 基板相較于以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹系數（CTE），在制程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利于實現量產。世界先進公司的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程能與公司既有的八寸矽晶圓機臺設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統驗證結果，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓于快充市場的應用上，針對 65W 以上的快充產品，其系統效率已達世界領先的水準。此外，基于 QST 基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

 

　　世界先進公司營運長尉濟時博士表示：“世界先進公司身為特殊積體電路制造服務的領導廠商，不斷精進制程技術，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。我們的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程具備效能及可靠性優勢，不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇，亦協助提升客戶產品的競爭力。”

 

　　據悉，世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件選擇外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設計選擇。此外，該制程除具備更優異的可靠性與信賴性，針對更高電壓（超過1000 V）的擴充性，世界先進也已經與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。