11月29日，振華科技在投資者互動平臺上表示，公司現有芯片設計和制造水平滿足目前生產實際；下一步公司將采用定增的方式實施半導體功率器件產能提升等多個項目，其中擬建設一條12萬片/年產能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線。

日前，振華科技宣布擬募資不超過25.18億元用于建設半導體功率器件產能提升項目、混合集成電路柔性智能制造能力提升項目、新型阻容元件生產線建設項目、繼電器及控制組件數智化生產線建設項目、開關及顯控組件研發與產業化能力建設項目以及補充流動資金。

其中，半導體功率器件產能提升項目總投資7.9億元，由振華永光實施，振華永光現有4英寸線已經無法滿足產能需要，擬建設一條12萬片/年產能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線，主要生產6英寸功率半導體、陶瓷封裝功率半導體器件、金屬封裝功率半導體器件和塑料封裝功率半導體器件等產品。

據悉，振華科技主業經過持續的結構調整、轉型升級，現已向核心業務新型電子元器件高度集中。IGBT及其模塊、船用真空開關管、微波芯片電容、宇航級熔斷器、大功率接觸器、氣密封微動開關和LTCC濾波器等高端產品取得實質突破，進一步豐富中高端產品技術內涵；超級電容模塊、宇航級電容器、宇航級電阻器、溫補衰減器、MIS硅電容、插件功率電阻等一批新產品實現供貨。