據悉，日前，國內存儲行業迎來重大喜訊，由至訊創新完全自主研發的國內首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片研制成功，預計將于明年年初全面投放市場。這是國內存儲行業的跨越式突破，技術水平已趕超國際一流。

這是國內首款全自研、運用先進工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業界主流串行接口SPI和WSON封裝。

其即可滿足消費級產品對可靠性的需求，還可達到工規和車規等高可靠性應用場景對擦寫次數和數據保留的要求。通過技術的創新實現了芯片面積縮小40%，I/O速度提升25%，擦寫周期提升70%，芯片性能超越國內同類競品。

至訊創新聯合創始人、董事長湯強博士：在過去的幾個月里，我們的研發團隊面對疫情、技術等重重考驗，用最短的時間攻克了道道難關。

此次19nm芯片的成功研制是至訊創新破繭成蝶的第一步，未來我們將持續加大研發投入，與更多合作伙伴展開更深度協作，保持每年兩到三個先進工藝項目的開展，使更具有創新力、競爭力的產品陸續登陸市場。

至訊創新聯合創始人、CEO龔翊女士：這款核心產品性能卓越又極具性價比，應用領域非常豐富。目前，我們已順利與幾大重要合作伙伴簽署戰略合作協議，明年將從核心大客戶端發力，確保在全球存儲市場低迷的情況下實現逆勢上揚，一舉提升我們的市場占有率。

至訊創新聯合創始人、COO王超先生：目前公司正進行A輪融資，我們將抓住這個資本市場的戰略窗口期，充分發揮資本的強力支撐作用，為公司的研發、運營和業務推廣注入更多動力，不斷提升工藝的先進性、產品的競爭性和服務的全面性，為實現我國存儲芯片的國產替代提供更多助力。

未來，至訊創新將抓住中國芯片產業突圍的歷史性發展機遇，堅持“以人為本，開拓創新”，立爭早日躋身全球一流存儲芯片公司行列。