近日，至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝在2022年行家說(shuō)·探索紫外LED產(chǎn)業(yè)「新坐標(biāo)」高峰論壇上，分享了《紫外LED技術(shù)突破及應(yīng)用智能化趨勢(shì)》，指出紫外LED外延芯片技術(shù)當(dāng)中的難點(diǎn)，探索紫外芯片技術(shù)新的進(jìn)展及透露紫外LED Roadmap。

單顆UVC芯片功率突破210mW

至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝指出，UVC-LED效率低的關(guān)鍵問(wèn)題主要存在：低摻雜效率、高接觸電阻、AlN/AlGaN高位錯(cuò)密度、MQW應(yīng)力調(diào)控、材料內(nèi)部吸收、電極吸收、紫外TM/TE等問(wèn)題，可以從AlN/AlGaN材料質(zhì)量、高Al組份AlGaN N/P型摻雜、TE光出光轉(zhuǎn)換成TM光、pGaN作為P型接觸材料吸收，內(nèi)部材料的吸收以及金屬電極的吸收這五個(gè)方面解決。

至芯半導(dǎo)體以UVB、UVC波段（240-340nm）的芯片及燈珠產(chǎn)品為主，目前已開(kāi)發(fā)出多種型號(hào)芯片。尺寸10mil*20mil芯片，在額定電流為40mA下，光功率達(dá)到6~12mW；尺寸20mil*20mil芯片，在額定電流為100mA下，光功率達(dá)到15~25mW。尤其是在大功率芯片上，推出45mil*45mil 尺寸型號(hào) ，在額定電流為350mA下，光功率可以達(dá)到60~100mW。并且在最新的測(cè)試中，至芯半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)單顆UVC芯片的功率突破210mW。

WPE超過(guò)4%，未來(lái)將超過(guò)10%

在產(chǎn)能方面，早在2021年下半年，芯片產(chǎn)出已突破 50KK/月，燈珠產(chǎn)能10KK/月，已經(jīng)正式面向市場(chǎng)。在光電轉(zhuǎn)換效率方面上，至芯半導(dǎo)體在全國(guó)都處于領(lǐng)先位置，目前已和不少知名企業(yè)進(jìn)行合作，包括空氣凈化、凈水器、消菌棒、加濕器、母嬰消毒柜、冰箱、空調(diào)等產(chǎn)品都在使用不同型號(hào)及尺寸的深紫外芯片。至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝認(rèn)為，UVC-LED未來(lái)的增長(zhǎng)點(diǎn)主要在水處理、汽車、空調(diào)等方面。

圍繞紫外殺菌、紫外醫(yī)療、紫外探測(cè)及紫外通信方向，至芯半導(dǎo)體有遠(yuǎn)大的理想和使命，2022年已實(shí)現(xiàn)紫外芯片WPE超過(guò)4%的量產(chǎn)水平，未來(lái)將實(shí)現(xiàn)紫外芯片WPE超過(guò)10%。

至芯半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)屈指可數(shù)擁有半導(dǎo)體紫外全波段核心芯片、器件及光源系統(tǒng)的核“芯”科技企業(yè)。未來(lái)，至芯半導(dǎo)體將持續(xù)圍繞著新材料、新工藝、新應(yīng)用等方面進(jìn)一步深入研發(fā)，持續(xù)提升智能制造水平，保持技術(shù)領(lǐng)先地位。