士蘭微發(fā)布公告稱，擬向特定對象發(fā)行A股股票募集資金總額不超過650,000.00萬元（含本數(shù)）， 扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬用于SiC功率器件生產(chǎn)線等項目。

公告顯示，本次向特定對象發(fā)行募集資金擬主要用于投資建設“年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項目”、“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設項目”和“汽車半導體封裝項目（一 期）”。其中，“年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項目”建成后將形成一條年產(chǎn)36萬片12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)品；“SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目”達產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬片 SiC-MOSFET/SBD功率半導體器件芯片的生產(chǎn)能力；“汽車半導體封裝項目（一 期）”達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)720萬塊汽車級功率模塊的新增產(chǎn)能。

上述三個項目建設系公司在高端功率半導體領(lǐng)域的核心戰(zhàn)略規(guī)劃之一，是公司積極推進產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級轉(zhuǎn)型的重要舉措。公司將充分利用自身在車規(guī)和工業(yè)級功率半導體器件與模塊領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢和IDM模式下的長期積累，把握當前汽車和新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機遇，進一步加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整步伐，抓住國內(nèi)高門檻行業(yè)和客戶積極導入國產(chǎn)芯片的時間窗口，擴大公司功率芯片產(chǎn)能規(guī)模、銷售占比和成本優(yōu)勢，不斷提升市場份額和盈利能力。該項目的順利實施有助于提高公司對下游市場的供貨保障能力和客戶供應鏈安全性，持續(xù)鞏固公司國內(nèi)半導體IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位，實現(xiàn)打造具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產(chǎn)品供應商的戰(zhàn)略發(fā)展目標。

士蘭微系國內(nèi)功率半導體IDM龍頭企業(yè)，資料顯示，近年來，公司憑借其在8英寸和12英寸產(chǎn)線的率先布局，成為行業(yè)景氣度上行的受益者，實現(xiàn)了從家電向汽車和工業(yè)領(lǐng)域的擴張和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的四大升級。在IGBT領(lǐng)域，公司產(chǎn)品線由IPM 模塊拓展至車規(guī)級IGBT模塊與單管；在MOSFET領(lǐng)域，公司實現(xiàn)了高壓超級結(jié) MOS 和 SGT MOS 產(chǎn)品的批量出貨；在電源管理IC領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的快充芯片和 DC/DC 批量出貨；在MEMS傳感器領(lǐng)域，公司所采用MEMS工藝的重力傳感器正在快速實現(xiàn)國產(chǎn)替代。相比于國內(nèi)功率半導體廠商正處在從8英寸轉(zhuǎn)向12英寸生產(chǎn)的過程中，公司目前已在12英寸晶圓產(chǎn)線上生 MOSFET和IGBT等功率半導體產(chǎn)品。

公告指出，半導體行業(yè)屬于典型的技術(shù)密集型和資本密集型行業(yè)。作為IDM企業(yè)，公司具有資產(chǎn)相對偏重的特征，為滿足產(chǎn)業(yè)鏈中下游客戶強勁的產(chǎn)品需求，保障公司的業(yè)務拓展、產(chǎn)品迭代和產(chǎn)線建設，公司需要持續(xù)的研發(fā)投入和大量的流動資金支持。通過本次向特定對象發(fā)行募集資金補充流動資金，一方面，可以滿足公司業(yè)務持續(xù)發(fā)展需要，提升公司核心競爭力，鞏固公司龍頭地位；另一方面，可以緩解公司流動資金壓力，優(yōu)化公司資產(chǎn)負債結(jié)構(gòu)，降低公司財務風險，提高公司資金使用的靈活性。