近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發的首款車規級IGBT產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。
圖片來源：吉利科技集團
吉利科技集團消息顯示，該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和FS結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通/開關損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。
晶能微電子表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/4。公司將圍繞動力總成系統中的開發需求，不斷研制性能優越的芯片和模塊產品。
晶能微電子自主研發 IGBT HP Drive 模塊
據悉，晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創新，發揮“芯片設計+模塊制造+車規認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優越的功率產品和服務。
