3月17日，能訊半導體受邀參展2022 EDICON跨越中國·深圳大會，活動現場能訊半導體重磅推出基于GaN的射頻微波能2.4-2.5GHz 600W產品解決方案。

過去十余年來，固態射頻微波能（Solid-state RF Energy）技術創新正為烹飪、CVD、醫療、高能物理、半導體、照明、汽車點火等眾多應用帶來巨大變革。相較于傳統的磁控管方案，GaN以優越的特性支撐實現應用端的小型化和系統控制精準性與穩定性的提高，而高效高可靠性的表現也為整機系統帶來更長的運行壽命以及更可觀的節能效應。能訊半導體致力于為行業客戶提供領先的GaN方案和技術支持，全力與合作伙伴共同打造基于GaN技術的Solid-state RF Energy生態環境。

基于2022年已發布的DOD1H2425-320EF（2.4-2.5G 300W），能訊半導體繼續推出新一代的DOD1H2425-600EF（2.4-2.5G 600W），實現高效、高功率和高可靠性的完美組合，進一步為合作伙伴在技術和成本上提供更具競爭力的解決方案。

01性能參數

DOD1H2425-320EF典型性能：

DOD1H2425-600EF典型性能：

除在常規的2450±15MHz下性能表現優異之外，憑借獨特的設計，該產品可以在更大帶寬下使用，2450±50MHz實測Psat保持＜0.3db的平坦度；

02封裝信息

針對微波能應用對于器件高效、高可靠性需求：

DOD1H2425-320EF采用陶瓷780封裝，尺寸20*9.4*4.2mm；

DOD1H2425-600EF采用陶瓷1230封裝，尺寸32*9.4*4.52mm；

03熱阻信息

針對微波能應用場景下連續波不間斷加載的特點，能訊半導體進行了熱阻特殊設計，實現適用于連續波應用的低器件熱阻特性，其中：DOD1H2425-320EF熱阻參考值：單side熱阻（FEA）為1.3°C/W。

DOD1H2425-600EF熱阻參考值：單side熱阻（FEA）為0.7°C/W。

04可靠性

DOD1H2425-320EF、DOD1H2425-600EF在200°C結溫下，其MTTF達到10^7小時，10倍于正常標準下的10^6小時，極大的提升了系統長期運行可靠性。

依托于自有晶圓廠以及完整的設計與封測能力，能訊半導體將繼續發揮綜合優勢，持續推出包括2.4-2.5G更高功率、低頻（Sub-1.5GHz）高效超高功率系列在內的新一代產品，敬請期待！