半導體產業網訊：近日從官方渠道獲悉，紅旗研發總院新能源開發院功率電子開發部與中國電子科技集團第55研究所聯合開發的紅旗首款全國產電驅用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件試制完成，達成電驅用碳化硅功率半導體設計與生產全自主化、全國產化，打破了國際芯片壟斷，標志著紅旗品牌引領行業向著自主掌控功率半導體核心技術邁出高質量發展步伐，為當前普遍缺貨的汽車半導體市場注入了一劑有力的強“芯”針。

1200V碳化硅晶圓

塑封2in1功率模塊A樣件

碳化硅功率半導體憑借其耐高壓、低損耗、耐高溫、高頻化等材料優勢，成為實現新能源電驅系統行業領先的核心路徑。然而由于受制于技術壁壘，國內電驅用碳化硅功率半導體仍處于起步階段，從原材料制備、芯片設計與封裝開發到工藝生產仍然掌握在少數國外企業手中，因此紅旗品牌主導引領，以央企合作的模式，實現碳化硅技術“黑轉白”，達成了關鍵核心技術自主掌控。

▲碳化硅晶圓生產線

功率電子開發部深入貫徹落實習近平總書記視察一汽重要講話精神，圍繞新結構、新工藝、新材料方面開展自主技術攻關，真正實現了芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產、封裝結構設計、塑封工藝開發與模塊試制等關鍵環節全流程自主可控，技術水平國內領先、國際先進。

低損耗、高可靠功率芯片

應用高密度高可靠元胞結構、芯片電流增強技術、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細結構加工工藝等，碳化硅芯片比導通電阻達到3.15mΩ·cm2，導通電流達到120A，技術指標達到國際先進水平。

低雜感、高性能功率模塊封裝

創新應用行業領先的三端子母排疊層結構、高可靠銅線互聯技術與高散熱橢圓PinFin散熱水道，配合大尺寸環氧樹脂轉模塑封與高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝，實現模塊寄生電感≤6.5nH，模塊持續工作結溫175℃，輸出電流有效值達到550A。

▲功率模塊熱仿真示意圖

全國產塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件的試制完成，是紅旗品牌在碳化硅領域引領行業的第一步，彰顯了中國一汽勇于肩負民族汽車產業發展的責任與擔當。團隊將繼續以實際行動踐行先鋒文化，發揚創新精神，聚力自主攻堅關鍵核心技術，助力“All in”新能源戰略落地，為紅旗品牌躍遷式成長新能源落地貢獻研發力量。