半導體產業網獲悉：據外媒報道，日本移動出行供應商電裝（DENSO CORPORATION）宣布開發出首款采用碳化硅（SiC）半導體的逆變器。該逆變器集成在由BluE Nexus Corporation開發的電動驅動模塊eAxle中，并搭載于雷克薩斯3月30日發布的首款專用純電動汽車（BEV）的雷克薩斯全新RZ。

圖片來源：電裝

SiC功率半導體由硅和碳組成，與硅（Si）功率半導體相比可顯著降低功率損耗。BEV使用SiC半導體逆變器在特定條件下進行的巡航測試表明，采用SiC功率半導體的逆變器可大大減少功率損耗，是采用Si半導體逆變器的50%以下。因此，BEV的能源效率得到提高，續航里程也得到延長。

開發新型逆變器的關鍵要素

·采用電裝獨特的溝槽型金屬氧化物半導體（MOS）結構的SiC功率半導體可降低因發熱引起的功率損耗，從而提高每個芯片的輸出。該獨特結構實現了高電壓和低導通電阻操作。

制造新型逆變器的關鍵要素

·基于由電裝和株式會社豐田中央研究所（Toyota Central R&D Labs., Inc.）共同開發的高質量技術，電裝使用SiC外延晶圓，而該外延晶圓也是日本新能源產業技術綜合開發機構（New Energy and Industrial Technology Development Organization，NEDO）委托的工作成果之一。因此，電裝已將因晶體原子排列紊亂而導致設備無法正常運行的晶體缺陷數量減半。

·通過減少晶體缺陷，確保車用SiC功率半導體器件的質量和穩定生產。

電裝將其SiC技術稱為“REVOSIC?”，并用以全面開發從晶圓到半導體設備和功率卡等模塊的產品技術。通過提高車輛能源管理效率，同時利用2022年通過的綠色創新基金（GI基金）的贈款，電裝將為實現碳中和社會做出貢獻。