中國經濟時報記者 郭錦輝

當前，各主要經濟體全力布局半導體產業，力爭在新的產業格局中占據有利位置。中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇4月20日表示，化合物半導體是我國重構全球半導體產業競爭格局的重要突破口，是我國在半導體領域實現突圍的關鍵賽道。

干勇是在當天舉辦的2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業發展大會上作上述表示的。他認為，與集成電路相比，化合物半導體對下游制造環節設備的要求相對較低，投資額相對較小，能夠在一定程度上擺脫對以高精度光刻機為代表的先進加工設備的依賴。下游應用企業基于對供應鏈安全的考量、國家政策支持和資本市場活躍也為產業發展提供了很好的機遇。

全球半導體產業正處于新一輪深度調整階段。干勇表示，從國際半導體產業發展趨勢來看，隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發展的需要，以第三代半導體為代表的化合物半導體材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局的重塑產生至關重要的影響。特別是光電子產業正從萌芽走向成長期，民用方面支撐光纖通信網絡、5G通信等基礎的信息高速公路建設，軍事上光電子技術用于激光雷達、紅外探測、通信、激光陀螺、傳感探測等，將成為整個信息產業中一個新的經濟增長極。

“2022年在全球疫情、中美博弈和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周期，但在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，國際第三代半導體產業增長超預期，進入高速成長期。”干勇說。他認為，第三代半導體產業發展呈現出明顯的應用牽引的特點。一是消費類電子產品、新能源汽車、5G移動通信、高效智能電網等領域展示出廣闊的、不可替代的應用前景，預計將形成萬億級規模的應用市場。二是上游材料產能持續釋放且量產技術趨于穩定，器件的產線從6英寸向8英寸發展，推動成本大幅下降。三是隨著國產企業技術突圍，進口替代空間廣闊。

干勇表示，當前國際競爭已經由產品競爭、企業競爭上升為產業鏈之間的競爭，未來2-3年是產業發展的關鍵期，我國亟須形成有國際競爭力產品的批量化供應能力，需要長期持續迭代應用提高性能，發揮我國有效市場和有為政府結合的優勢，以應用促發展，加快產品迭代研發，完善材料測試評價方法和標準體系，推進國產材料和芯片產業化，培育細分領域國際龍頭品牌企業，提升我國產業創新能力和國際競爭力。

“半導體新材料、工藝和裝備這三個核心產業環節協同研發創新是建立半導體技術和產業核心競爭力的必要途徑，需要依托國家2030重大項目、材料國家實驗室、國家第三代半導體技術創新中心等項目和平臺，建設戰略定位高端、組織運行開放、創新資源聚集的平臺和國家戰略科技力量。”干勇說。

他同時建議，未來應該進一步通過推動建設多元化動態矩陣式創新聯合體生態群，實現強鏈、強研、強基，解決產學研上下游缺乏有效整合、鏈條不通暢、企業弱小散、低水平重復建設等問題，在新一輪半導體產業競爭中發揮更大的作用。