近十年全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體電力電子市場(chǎng)已進(jìn)入騰飛階段，年均增速接近45%。SiC的禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高和飽和電子漂移速度快等性能優(yōu)勢(shì)，決定了其天然適合高溫、高壓、高頻、大功率等應(yīng)用場(chǎng)景，其中新能源汽車、光伏儲(chǔ)能是 SiC 市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。GaN器件相比于SiC器件擁有更高的工作頻率，加之其最低閾值電壓要低于SiC器件，所以GaN電力電子器件更適合對(duì)高頻率、小體積、成本敏感、功率要求低的電源領(lǐng)域，如輕量化的消費(fèi)電子電源適配器、無(wú)人機(jī)用超輕電源、無(wú)線充電設(shè)備等。

近日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長(zhǎng)沙召開。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所基礎(chǔ)研究部高級(jí)工程師蘆偉立分享了“電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)進(jìn)展”主題報(bào)告。

報(bào)告主要介紹了中國(guó)電科十三所在電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)的研究進(jìn)展，其中主要包括SiC外延技術(shù)和GaN on Si外延技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r。SiC外延所面臨的問題主要是外延材料缺陷控制問題、外延材料均勻性和一致性控制和外延低成本控制等。而GaN on Si外延所面臨的主要問題是大尺寸外延應(yīng)力控制和一致性控制技術(shù)等。

嘉賓簡(jiǎn)介：蘆偉立，高級(jí)工程師，中國(guó)電科十三所基礎(chǔ)研究部，SEMI標(biāo)準(zhǔn)專家組成員。一直致力于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)工作，作為十三所外延材料團(tuán)隊(duì)的骨干成員，在射頻、電力電子、光電子等方向突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，建立了多套化合物半導(dǎo)體材料工藝平臺(tái)，多項(xiàng)成果處于國(guó)際領(lǐng)先水平，有力的支撐了5G、電力電子等民品產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。累計(jì)發(fā)表論文十余篇，申請(qǐng)發(fā)明專利十余項(xiàng)，牽頭并參與制定多項(xiàng)IEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、SEMI標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。先后榮獲河北省國(guó)防科工優(yōu)秀青年，集團(tuán)XXX一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)。