隨著近年逐步開始商業化和產業化，功率半導體行業已經迎來了新的發展賽道，并逐步形成與行業應用緊密相關的新發展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導體功率器件技術與應用。據統計，全球IGBT市場規模從2015年的約150億美元增長到2021年的近220億美元。IGBT產業鏈逐漸完善，包括IGBT芯片設計與制造、封裝測試、模塊組裝等環節。各個環節的企業積極開展研發合作和技術創新，推動整個產業鏈的協同發展。
為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用，由半導體產業網、第三代半導體產業、中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團聯合主辦，2023先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇將于7月20日-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間，在上海世博展覽館舉辦。
中國電子科技集團公司第五十五研究所副主任設計師李赟受邀將出席論壇，并帶來《適用于萬伏級IGBT器件研制的4H-SiC外延材料生長技術》的主題報告，分享最新研究成果與技術進展。
欲知詳細最新研究進展與數據成果，敬請關注論壇，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
李赟，博士，正高級工程師。主要從事SiC材料外延工作。先后承擔或參與“863"、“973”、“核高基”和重點研發計劃等重大科研項目，突破大尺寸低缺陷SiC外延關鍵技術，建立外延工藝平臺，實現SiC外延材料自主保障供應。基于自主研發的材料, 實現SiC MOSFET系列產品批產；研制了國內首個20kV n溝道IGBT芯片研制成功。發表科技論文8篇(第一作者)，授權發明專利15項(第一發明人)，其中2項PCT專利分別獲歐盟及韓國授權。牽頭編制行業標準2項(已發布)。獲得國防科技進步獎1次，電子學會技術發明獎1次。
論壇信息
時間：7月20日-21日
地點：上海世博展覽館·NEPCON論壇區
主辦單位：
半導體產業網、第三代半導體產業
中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會
勵展博覽集團
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
報告議題（擬）：
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國產IGBT技術進展及市場現狀 |
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碳化硅肖特基二級管技術 |
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IGBT模塊封裝技術 |
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助力集成商打造半導體行業智能物流解決方案 |
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高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調整 |
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單雙面銀燒結技術在功率模塊封裝中的應用 |
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第三代半導體功率器件封裝技術現狀及挑戰 |
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IGBT的真空焊接技術 |
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超高壓碳化硅功率器件 |
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碳化硅離子注入技術 |
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第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現 |
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IGBT芯片設計 |
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車規級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術趨勢 |
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基于SiC功率芯片的高功率密度電驅系統 |
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SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計 |
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車規級氮化鎵功率器件技術 |
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用于功率器的關鍵設備技術/等離子去膠設備技術 |
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IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
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碳化硅芯片設計 |
參會/商務咨詢
賈先生（Frank）
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張女士（Vivian）
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