近日，晶盛機(jī)電表示已成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備。

Source：晶盛機(jī)電

8英寸碳化硅晶圓的邊緣損耗更小、可利用面積更大，未來通過產(chǎn)量和規(guī)模效益的提升，成本有望降低60%以上。為未來碳化硅材料大規(guī)模應(yīng)用提供低成本的先決條件。

晶盛機(jī)電稱，8英寸單片式碳化硅外延設(shè)備可兼容6、8英寸碳化硅外延生產(chǎn)，在6英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上，解決了腔體設(shè)計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。

Source：晶盛機(jī)電

公司在子公司晶瑞的8 英寸襯底基礎(chǔ)上，已實(shí)現(xiàn)8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。為國內(nèi)碳化硅行業(yè)技術(shù)、產(chǎn)能升級提供充分的設(shè)備保障。

晶盛機(jī)電戰(zhàn)略定位先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備市場，圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，業(yè)務(wù)同時延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

碳化硅方面，據(jù)此前報道，晶盛機(jī)電8英寸N型SiC襯底將小批量生產(chǎn)；公司已與客戶A形成采購意向（公司公告），2022年-2025年將優(yōu)先向其提供碳化硅襯底合計不低于23萬片；計劃在寧夏銀川建設(shè)年產(chǎn)40萬片6英寸以上導(dǎo)電+絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)能，計劃于2022年試生產(chǎn)。