據悉，日前，碳化硅襯底廠商天岳先進在投資者互動平臺表示，公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關鍵技術，已與國際半導體知名企業加強合作，包括英飛凌、博世集團等全球知名企業。

 

碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料，和傳統材料相比具有更加優異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領域有著廣泛的應用前景。

 

天岳先進認為，SiC半導體應用發展進入快車道，特別是在高壓高功率領域優勢更加凸顯，新的應用場景不斷涌現。在市場需求爆發的背景下，SiC的供需缺口也較大。

 

天岳先進表示，公司持續加大研發力度，在晶體生長和缺陷控制等核心技術領域展開密集的試驗，不斷突破技術瓶頸，提高產品良率。 

 

天岳先進通過液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題。公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關鍵技術。

 

一方面公司同時能夠大批量供應高品質導電型襯底和半決緣襯底，另一方面公司在晶體厚度、晶體尺寸上也持續實現快速的技術進步。 

 

天岳先進稱，目前下游市場對碳化硅襯底需求呈現出持續旺盛的趨勢，公司上海臨港工廠也進入了產品交付階段，獲得市場快速發展的機遇。公司將持續擴大產能，提高產品品質和良率，為行業提供最高品質的襯底產品。

 

同時，天岳先進透露，公司已與國際半導體知名企業加強合作，包括與國際功率半導體知名企業英飛凌、以及汽車電子領域知名企業博世集團等全球知名企業都開展了合作。公司產品品質獲得了國內外客戶的高度認可，訂單交付持續快速攀升。 

 

此前5月，天岳先進與英飛凌共同宣布雙方簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒。

 

第一階段將側重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。據悉，天岳先進的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。

 

同時，天岳先進還與博世集團與簽署了戰略合作長期協議，以鎖定芯片制造關鍵材料碳化硅襯底的需求。

 

除了天岳先進，其他碳化硅襯底廠商天科合達已與英飛凌簽約，合作制備8英寸襯底；三安光電則與意法半導體結盟共建8英寸碳化硅外延、芯片合資代工廠；中電化合物與韓國Power Master簽訂了8英寸碳化硅材料長期供應協議。

 

5G、新能源汽車、光伏風電、智能電網等產業的迅速發展，帶動了市場對碳化硅的需求。據TrendForce集邦咨詢研究統計，第三代半導體包括SiC與GaN，整體產值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動汽車與再生能源設備系統效率。隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。

 

TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元。主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產值可達39.8億美元、CAGR約38%；再生能源達4.1億美元、CAGR約19%。