2023年7月26-28日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織籌辦。論壇將圍繞光電子器件與功率半導體器件設計、測試評價及應用等主題，邀請產業鏈相關專家、高校科研院所及知名企業代表共同深入探討，追蹤最新技術進展，分享前沿研究成果，攜手促進國內功率與光電半導體器件技術與應用發展。

氮化鎵功率晶體管具備較低的輸入/輸出電容與導通電阻，大大降低了開關損耗，在高頻、高壓、高功率密度應用領域極具優勢。在應用上，氮化鎵高的開關速度不可避免的引入了強EMI干擾，對器件的穩定工作和長期可靠性提出了較大挑戰。隨著數據中心、光伏逆變、車載電源、移動負載等對高能效電力變換需求的日益增長，智能化的氮化鎵柵極驅動技術將推動氮化鎵功率晶體管在高功率密度應用領域快速發展。

論壇期間，萊特葳芯半導體（無錫）有限公司CEO劉天奇將帶來《智能化高頻高壓氮化鎵驅動技術研究進展》的主題報告，分享最新技術研究成果，欲知具體進展，敬請期待。

劉天奇，物理學博士、清華大學博士后，現任澳門大學模擬與混合信號超大規模集成電路國家重點實驗室博士后研究員，高級工程師職稱，主要從事高壓功率集成電路、高可靠集成電路與器件設計加固、可靠性等研究工作。近年來，先后主持和參與了國家自然科學基金、核高基國家重大專項、NSFC重大項目等研究課題，發表SCI與EI論文約60余篇，申請專利10余件。2022年創辦萊特葳芯半導體（無錫）有限公司，專注于隔離與非隔離超高壓驅動集成電路技術，推動先進GaN Module、高端IPM以及SiC應用技術快速發展與落地。

公開信息顯示，萊特葳芯半導體（無錫）有限公司2022年成立，專注高壓非隔離與隔離驅動芯片（HVIC）、Low-Side與High-Side驅動芯片、智能功率模塊（IPM）、智能功率集成電路（SPIC）、直流無刷電機控制、電源與逆變器等技術產品的研發。此外，該公司可為不同類型功率晶體管匹配最佳驅動方案和控制方案，可打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驅動芯片，推動相關技術在新能源、汽車、家電、機器人、工業自動化等多領域的應用落地。2023年6月公司完成數千萬天使輪融資，由無錫芯和投資、無錫市創投、無錫新投集團等聯合投資。本輪融資資金主要用于高壓柵極驅動芯片設計和研發，包括高壓隔離、非隔離驅動技術，以及氮化鎵、碳化硅等第三代功率半導體驅動技術。