碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，具有優異的電子特性，使得碳化硅功率模塊在高功率和高溫應用中具有出色的性能。同時得益于碳化硅半導體材料高溫性能、高功率密度、高頻特性、低開關損耗、小尺寸和輕量化等性能和優勢。碳化硅功率模塊逐漸成為儲能系統中的一種重要解決方案。碳化硅功率模塊在功率密度提升、散熱優化、集成設計等方面不斷提升。

2023年7月26日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安開幕。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織籌辦。

開幕大會上，蘇州鍇威特半導體股份有限公司應用總監牛坤宏做了題為“碳化硅功率模塊設計及其在儲能應用中的機會及挑戰”的主題報告。當前，SiC器件各領域加速替代Si基器件，儲能是新型電力系統的重要組成和關鍵支撐。報告詳細分享了當前PCS的技術發展，認為SiC混合ANPC是兼具性能和成本優勢的最佳選擇。報告分享了低寄生參數的模塊設計，高性能、高功率密度的模塊封裝技術，并指出SiCMOS+IGBT混合方案，大功率PCS的最佳選擇。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。