近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設(shè)計及集成應用”上，西安衛(wèi)光科技有限公司器件研究中心工程師李樸帶來《600V超結(jié)MOSFET器件研究》的主題報告。詳細分享了600V 超結(jié)MOSFET研究過程與成果。

隨著功率半導體應用領(lǐng)域逐漸擴大，當應用在計算機和航空電子等領(lǐng)域中時，低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統(tǒng)，從而降低整機尺寸和成本，所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。而傳統(tǒng)功率MOSFET中擊穿電壓與導通電阻的關(guān)系，始終被限制在了“硅限”2.5次方，難以克服。為了能突破發(fā)展瓶頸，“超結(jié)理論”應運而生，極大的推動了功率半導體的發(fā)展。基于超結(jié)理論的器件能夠在保證擊穿電壓的同時，進一步提高N柱區(qū)摻雜濃度，從而減小通態(tài)電阻，將擊穿電壓與通態(tài)電阻的限制關(guān)系優(yōu)化到1.3次方。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。活動聚焦先進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）