低功函數柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管，作為一種新興的金剛石場效應晶體管，其研究對于推動金剛石材料在電子學器件領域的應用具有重要意義。通過深入研究和優化，可以進一步提高金剛石場效應晶體管的性能，拓展其在高功率、高頻率和高溫等極端條件下的應用潛力。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，西安交通大學，副教授王瑋帶來“低功函數柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究”的主題報告。傳統的硅基電子器件已逼近至其材料極限，采用GaN電力電子器件可實現：更小尺寸、更高開關頻率、更高轉換效率。2030年，數據中心能源消耗將達到~3000TWh (約占全球能源消耗的7.6%)，相當于428個核電站發電量。相比傳統硅基電源模塊，氮化鎵電源模塊可以將電源模塊效率提高0.5~1%左右，可以節約21TWH發電量，相當于3個核電站。有數據顯示，我國功率二極管市場規模從2020年的119億增加到2021年的167億，同比增長40%，2022年市場規模高達186億，同比增長11%，市場增長空間巨大。

報告詳細分享了低開啟電壓GaN SBD技術、低漏電高耐壓GaN SBD技術、電流崩塌免疫GaN SBD技術的研究進展與成果。其中，低損傷陽極凹槽制備技術，采用濕法腐蝕陽極凹槽制備技術，解決了陽極凹槽邊緣刻蝕尖峰難題，實現了器件開啟電壓為0.43 V，反向漏電僅為90 nA/mm的高性能，且陽極凹槽區域緩沖層耐壓高達1.5 kV。據介紹，其研究團隊的高性能GaN SBD芯片已完成產業化應用，累計出貨量達10萬只，應用在多項國家重大工程中，并受邀參與國家“十三五”科技創新成就展。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）