7月31日，天岳先進(688234.SH)在投資者互動平臺表示，碳化硅晶體的生長方法主要有物理氣相傳輸法（PVT）、高溫化學氣相沉積法、液相法等。

其中，PVT法是目前規(guī)?；蓟杈w生長方法。而液相SiC長晶技術具有多個優(yōu)勢，包括晶體質量高、成本低等，近年來受到高度關注。目前液相法尚未實現(xiàn)產業(yè)化大規(guī)模生產。

公司是國內最早從事碳化硅半導體材料產業(yè)化的企業(yè)之一，具備技術領先的技術優(yōu)勢和產業(yè)化能力。在碳化硅長晶方面，公司具有全自主的核心技術，實現(xiàn)了從2英寸到8英寸完全自主擴徑，從基礎原理到技術、工藝的深入積累。

公司是國際上少數(shù)幾個自主掌握碳化硅襯底制備核心關鍵技術能夠實現(xiàn)規(guī)模化生產的企業(yè)之一，特別是具備突出的產業(yè)化經(jīng)驗。

公司近年來研發(fā)投入較大，研發(fā)與規(guī)?；a形成良好的正循環(huán)積累，一方面公司工程化試驗數(shù)據(jù)為技術和良率的持續(xù)改進提供了關鍵支持，也是產品質量領先的關鍵因素；另一方面，碳化硅襯底制備具有較高的技術壁壘，同時技術發(fā)展日新月異，這都有助于提高襯底質量、降低襯底成本、推動碳化硅半導體材料和技術的加快滲透應用。公司在前瞻性技術發(fā)展方向做了全方位布局。