8月30日，德國博世集團表示，已收購加州芯片制造商 TSI Semiconductors，此舉旨在在美國建立碳化硅芯片制造基地，使電動汽車 (EV) 的行駛時間更長。

博世4月表示，計劃購買TSI芯片生產設施的關鍵資產，并投資15億美元對加利福尼亞州羅斯維爾工廠進行改造，生產碳化硅芯片。新公司 Robert Bosch Semiconductor LLC 將于 2026 年開始生產。

博世和 TSI 沒有透露收購價格。

博世表示，TSI 工廠將與德國的兩個工廠一起成為內部半導體生產的“第三支柱”。

即將上任的博世移動美洲區總裁保羅·托馬斯 (Paul Thomas) 在一份聲明中表示：“通過擴展我們的半導體業務，我們正在加強我們在高效電子解決方案重要市場的本地業務。”

博世在一份聲明中表示，這項投資“將嚴重依賴通過 CHIPS 法案提供的聯邦融資機會”以及國家補貼。博世首席執行官斯特凡·哈同(Stefan Hartung)在舊金山之行期間接受采訪時告訴路透社，將該工廠擴大到預期的全部規模“取決于美國政府、地方政府或加州政府的支持。而且它已經得到了支持”一些人認為，但顯然它需要更多的支持。”

速度是獲得美國購買芯片制造工具稅收抵免資格的關鍵，每個芯片制造工具的成本可能高達數百萬美元。Hartung 告訴路透社，博世相信它能夠確保設備到位并及時到位，以便在 2026 年開始生產。

“我們每個人在獲取設備時都遇到了很大的困難。因此我們已經訂購了一些設備，”哈通說。

與其他汽車制造商一樣，博世在過去兩年中也因亞洲半導體生產中斷而遭受重創，而新冠肺炎 (COVID-19) 大流行加劇了這種情況。這些短缺有所緩解，但并未消失。博世的汽車制造商客戶不斷尋求更安全、更多樣化的芯片來源。

博世表示將在 TSI 羅斯維爾工廠生產的碳化硅芯片越來越受到電動汽車制造商的需求。博世表示，碳化硅化學成分可實現更大的行駛里程和更快的充電速度。

博世表示，碳化硅半導體的需求每年增長 30%。

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博世正在利用碳化硅芯片拓展其半導體業務。該科技公司計劃收購位于加利福尼亞州羅斯維爾的美國芯片制造商 TSI Semiconductors 的資產。該公司擁有 250 名員工，是一家專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，該公司主要開發和生產大量200毫米硅片芯片，應用于移動、電信、能源和生命科學行業。

未來幾年，博世計劃在羅斯維爾工廠投資超過 15 億美元，并將 TSI Semiconductors 制造設施改造為最先進的工藝。從 2026 年開始，第一批芯片將在基于創新材料碳化硅 (SiC) 的 200 毫米晶圓上生產。

通過這種方式，博世正在系統性地加強其半導體業務，并將在 2030 年底之前大幅擴展其全球 SiC 芯片產品組合。最重要的是，全球電動汽車的繁榮和發展對這種特殊半導體產生了巨大的需求。計劃投資的全部范圍將在很大程度上取決于通過 CHIPS 和科學法案提供的聯邦資助機會以及加利福尼亞州的經濟發展機會。博世和 TSI 半導體已達成協議，不披露該交易的任何財務細節，該交易尚待監管部門批準。

“通過收購 TSI Semiconductors，我們正在一個重要的銷售市場建立 SiC 芯片的制造能力，同時也在全球范圍內增加我們的半導體制造。羅斯維爾現有的潔凈室設施和專家人員將使我們能夠更大規模地制造用于電動汽車的 SiC 芯片。”博世管理委員會主席 Stefan Hartung 博士說道。

“羅斯維爾工廠自 1984 年起就已存在。近 40 年來，這家美國公司在半導體生產方面積累了豐富的專業知識。我們現在將把這些專業知識整合到博世半導體制造網絡中，”博世管理委員會成員兼移動解決方案業務部門主席 Markus Heyn 博士說道。“我們很高興加入一家擁有豐富半導體專業知識的全球運營技術公司。我們相信，羅斯維爾工廠將成為博世 SiC 芯片制造業務的重要補充。”TSI Semiconductors 首席執行官 Oded Tal 說道。

羅斯維爾的新工廠將加強博世的國際半導體制造網絡。從 2026 年開始，經過重組階段后，首批 SiC 芯片將在約 10,000 平方米潔凈室空間的設施中在 200 毫米晶圓上生產。博世早期就投資了SiC芯片的研發和生產。自 2021 年以來，該公司一直在斯圖加特附近的羅伊特林根工廠使用自己的高度復雜的專有工藝進行批量生產。

未來，羅伊特林根還將在 200 毫米晶圓上生產它們。到 2025 年底，該公司將把羅伊特林根的潔凈室面積從大約 35,000 平方米擴大到超過 44,000 平方米。“SiC 芯片是電動汽車的關鍵組件。通過在國際上擴展我們的半導體業務，

汽車行業對芯片的需求仍然很高。到 2025 年，博世預計每輛新車中將平均集成 25 顆芯片。SiC 芯片市場也在持續快速增長——平均每年增長 30%。這一增長的主要驅動力是全球電動汽車的繁榮和發展。在電動汽車中，SiC 芯片可實現更大的續航里程和更高效的充電，因為它們的能源消耗最多可減少 50%。它們安裝在這些車輛的電力電子設備中，可確保車輛一次充電即可行駛更遠的距離——平均而言，其行駛里程比硅基芯片長 6%。

半導體是博世所有業務領域成功的關鍵。該公司很早就認識到這項技術的潛力，并已生產半導體 60 多年。博世是少數不僅擁有電子和軟件專業知識，而且對微電子學有著深刻理解的公司之一。它可以將這種決定性的競爭優勢與其在半導體制造領域的實力結合起來。這家技術和服務供應商自 1970 年以來一直在羅伊特林根制造半導體。它們用于汽車領域和消費電子產品。現代汽車電子設備也是減少交通排放、預防道路事故和高效動力系統的基礎。位于德累斯頓的博世晶圓廠（300 毫米晶圓）于 2021 年 7 月開始生產。

自2010年推出200毫米技術以來，博世在羅伊特林根和德累斯頓的晶圓廠累計投資超過25億歐元。除此之外，還投資了數十億歐元用于開發微電子技術。除了目前計劃在美國進行的投資之外，該公司去年夏天還宣布，將在歐洲的半導體業務上再投資 30 億歐元，這既是其投資計劃的一部分，也是在歐盟“歐洲共同利益微電子和通信技術重要項目”計劃。

文章參考：半導體芯聞