新能源汽車和光伏、儲能設施在全球加速普及，為第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。

長電科技厚積薄發定位創新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件開發完成的高密度成品制造解決方案進入產能擴充階段，預計2024年起相關產品營收規模翻番，將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場的快速上量。

碳化硅，氮化鎵產品相對于傳統的硅基功率器件具有更高的開關速度，支持高電流密度，耐受更高的溫度，低導通和開通損耗的同時，也伴隨著一些挑戰，如寄生電感效應、封裝寄生電阻、電磁干擾等。先進封裝技術在解決這些挑戰方面發揮了越來越為關鍵作用。

長電科技和全球領先客戶共同開發的高密度集成解決方案融合了多種封裝技術，包括開爾文（Kelvin Source）結構、倒裝（Flip Chip）技術等，成功減少了寄生電感的干擾。

同時，通過采用Clip和Ribbon鍵合工藝降低了封裝的寄生電阻，從而提高了功率轉換效率。

其次，封裝的散熱能力直接關乎功率器件的穩定性和效率，長電解決方案通過頂部散熱結構（TSC）等多種技術手段，極大降低了器件的熱阻，改善了熱傳導路徑，使封裝的散熱能力大幅提升，助力第三代半導體器件充分釋放材料性能潛力。

包括英諾賽科在內的國內外眾多領先的第三代半導體產品公司相繼發布了大規模晶圓擴產計劃，為長電科技的高密度中大功率器件成品制造解決方案提供了廣闊的應用發展空間。

根據市場分析機構Yole預測，2021~2027年全球碳化硅功率器件市場保持超過30%的年復合增長，長電科技積極擴產相關產能滿足國內外客戶的需求。

長電科技工業及智能應用事業部總經理金宇杰表示：“長電科技面向第三代半導體器件的高密度模組解決方案在開發和市場應用上均取得了可喜的成果，我們期待相關業務的營收規模在未來幾年將獲得顯著增長。”

第三代半導體產品制造商英諾賽科表示：“長電科技一直是我們產品開發過程中的不可或缺的合作伙伴，雙方在不斷的創新和合作中激發靈感，共同推動第三代半導體技術的進步，共同為市場帶來更多創新產品。”