年度新品發布
第二代碳化硅MOSFET芯片
基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在品質系數因子、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。同時，產品的封裝更為豐富，以更好滿足客戶需求，可廣泛應用于新能源汽車電機控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機、充電樁、UPS及PFC電源等領域。
今年基本半導體還將推出更大導通電流、更低導通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ 碳化硅 MOSFET芯片系列產品，并開發了2000V/40A 碳化硅二極管芯片進行配合使用。
汽車級碳化硅MOSFET功率模塊
基本半導體專為新能源汽車主驅逆變器應用設計開發了高低壓系列汽車級碳化硅MOSFET功率模塊，并在此次發布會上整體亮相，包括PcoreTM6汽車級HPD模塊（6芯片并聯、8芯片并聯）、PcoreTM2汽車級DCM模塊、PcoreTM1汽車級TPAK模塊、PcellTM汽車級模塊等。
該系列汽車級功率模塊采用先進的有壓型銀燒結工藝、高性能銅線鍵合技術、銅排互連技術以及直接水冷的PinFin結構，使得產品具有低動態損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點。
工業級碳化硅MOSFET功率模塊
為更好滿足工業客戶對于高功率密度的需求，基本半導體推出工業級全碳化硅 MOSFET 功率模塊PcoreTM2 E2B，該產品基于高性能 6英寸晶圓平臺設計，在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。產品可廣泛應用于大功率充電樁、燃料電池DCDC器、數據中心UPS、高頻DCDC變換器、高端電焊機、光伏逆變器等領域。
門極驅動芯片及驅動器
基本半導體針對多種應用場景研發推出碳化硅及IGBT門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用，新產品包括單、雙通道隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。產品可廣泛用于光伏儲能、新能源汽車、工業電源、商用空調等領域。
同時，基本半導體還推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驅動器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驅動器，產品集成軟關斷、隔離DC/DC電源、原副邊欠壓保護和VCE短路保護等功能，可適配功率器件最高電壓2300V，可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、風電變流器、電機傳動、大功率開關電源等領域。
功率器件產品及技術交流
新品發布會后，基本半導體技術專家分別介紹了公司在碳化硅MOSFET芯片、硅IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并聯研究技術、碳化硅功率模塊、功率器件門極驅動器及驅動芯片的創新產品和技術經驗。
