第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設有五大主題技術分會，以及多場產業峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。隨著技術的不斷進步和應用領域的拓展，氮化鎵技術在各個領域都發揮著越來越重要的作用，具有廣泛的應用前景，將會在更多的領域得到應用和發展，前景廣闊，備受關注。作為IFWS重要分會之一，氮化鎵射頻電子器件技術分會將著力聚焦最新技術發展與前沿趨勢，目前最新報告日程正式出爐。
本屆“氮化鎵射頻電子器件技術分會”得到了三安光電股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司的協辦支持。屆時，該分會將有臺灣聯合光電有限公司總經理助理邱顯欽，西安電子科技大學副校長、教授張進成，河北博威集成電路有限公司副總經理默江輝，北京大學教授楊學林，桂林電子科技大學電氣工程學院院長、教授李海鷗，新加坡國立大學教授郭永新，中興通訊有限公司總工程師劉建利，中電科五十五所研究員張凱，中國科學院半導體研究所何佳恒，西安電子科技大學陳怡霖等科研院校知名專家及實力派企業代表共同參與，將圍繞氮化鎵射頻電子器件技術的發展分享主題報告。
分會日程詳情如下：
備注：最終日程以現場為準！
【部分嘉賓簡介】
陳堂勝，中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家，分會程序委員會專家。長期從事GaAs、GaN等化合物半導體微波功率器件和單片電路的研制，現為中國電子科技集團公司制造工藝領域首席科學家，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構集成等方面的研究。
蔡樹軍，中國電子科技集團公司第五十八研究所所長，分會程序委員會專家。長期從事半導體器件與電路科研工作，主持新一代（氮化鎵）半導體核心射頻芯片研制工作，先后帶領團隊突破第三代半導體氮化鎵射頻器件技術，實現了射頻芯片從第二代向第三代跨越；突破了砷化鎵芯片制造瓶頸技術，補齊砷化鎵芯片落后短板。作為第一完成人，參與項目榮獲2019年度國家科技進步獎一等獎、2017年度國防科技進步獎一等獎。
郭永新，新加坡國立大學電機與計算機工程系終身正教授，新加坡工程院院士，兼任新加坡國立大學蘇州研究院智慧醫療技術卓越中心主任，高級研究員。中國南京理工大學客座教授，博士生導師。新加坡國立大學蘇州研究院首席研究員，新加坡國立大學蘇州研究院智慧醫療技術卓越研究中心主任，新加坡國立大學電機與計算機工程系教授。在生物醫療、移動通信和物聯網等應用領域積極開展原創性研究，主要研究方向有射頻微波與毫米波集成芯片的EDA和設計、平面天線理論和設計、微波和毫米波雷達技術、無線輸能理論及其技術、三維打印和封裝技術等。產生的50多項發明專利技術，已獲中國授權或受理。在國際著名刊物上發表論文138余篇, 國際會議宣讀論文154余篇。現為國際電氣與電子工程師協會（IEEE）高級會員；國際著名雜志IEEE天線與無線傳播快報(AWPL)責任副主編（Associate Editor）；多次擔任國際會議的大會主席/聯合主席。
張乃千，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長，分會程序委員會專家。曾任職全球最大的射頻半導體生產廠家RFMD公司，任職期間張乃千擔任了公司氮化鎵HEMT專業指導委員會委員，并因RF3800系列產品的開發獲得公司“突出貢獻(Spotlight)”獎。他于2007年回國創辦了能訊半導體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導體氮化鎵電子器件設計與制造商業企業，自主進行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內匹配與封裝等。
張韻，中國科學院半導體研究所副所長、研究員，分會程序委員會專家。曾在美國高平（Kopin）半導體公司III-V部門從事研發工作。具備多年GaN、GaAs基器件的設計、制造工藝及器件物理分析經驗。2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進研究項目局（DARPA）在深紫外光電探測器領域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經驗和世界領先的成果。
敖金平，日本德島大學教授、江南大學教授，分會程序委員會專家。曾擔任電子工業部第十三研究所GaAs超高速集成電路研究室副主任，高級工程師。2001年赴日本國立德島大學作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學并于2012年升任準教授。2016年起任西安電子科技大學特聘教授，博士生導師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。敖博士是國際電氣電子工程師協會(IEEE)高級會員，美國電氣化學協會(ESC)會員，日本應用物理學會會員以及日本電子情報通信學會會員。
于洪宇，南方科技大學深港微電子學院院長、教授，分會程序委員會專家。作為項目負責人，承擔超過7000萬人民幣國家/省/市/以及橫向科研項目（包括新加坡主持項目）。產學研方面，在第三代半導體領域承擔了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產，目前承擔一項6寸硅基GaN功率器件產業化的廣東省重大專項。在電子陶瓷領域創辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬用于量產介質濾波器。
馮志紅，中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任，分會程序委員會專家。是中國電子科學研究院博士生導師，科技創新特區太赫茲主題專家組專家，國際電工技術標準委員會（lEC）專家等。研究方向涉及寬禁帶半導體、碳電子和固態太赫茲電子技術。
劉建利，中興通訊股份有限公司無線射頻總工，分會程序委員會專家。1998年至2007年任中興通訊股份有限公司，RF研發工程師兼GSM, CDMA, UMTS等射頻功放研發團隊項目經理。自2008年起，任中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工。
邱顯欽，臺灣聯合光電有限公司總經理助理。2004年加入臺塑集團長庚大學電子系進行高速組件開發與毫米波集成電路設計并同時規劃建立長庚大學化合物半導體無塵室及其相關半導體制程設備，2007年開始氮化鎵高功率組件與高功率電路技術開發。2009年加入長庚大學高速智能通訊研究中心并建立110GHz 高頻量測與建模能力的毫米波核心實驗室，2013年建立四吋氮化鎵功率組件實驗室開發氮化鎵功率晶體管與驅動模塊，氮化鎵微波晶體管與模塊。
張進成，西安電子科技大學副校長、教授。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件。獲得國家技術發明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。1998年起師從中國科學院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。
李海鷗，桂林電子科技大學電氣工程學院院長、教授。入選廣西“特聘專家”、桂林市“漓江學者”等榮譽稱號。近年主持國家自然科學基金、廣西自然科學基金重點項目、廣西創新研究團隊項目、廣西科技重大專項、中國博士后基金、桂林市科技開發項目、廣西精密導航技術與應用重點實驗室項目以及中電集團橫向項目項目、廣東風華高新科技股份有限公司橫向項目等二十余項科研項目。在國內外重要學術刊物發表學術論文200余篇，其中SCI、EI收錄100余篇。獲得國家發明專利授權40余項。
楊學林，北京大學教授，2004年獲吉林大學學士學位，2009年獲北京大學理學博士學位，2009-2012年在日本東京大學從事博士后研究，國家優秀青年科學基金獲得者。近年來主要圍繞GaN基電子材料和器件開展研究工作，在Si襯底上GaN厚膜及其異質結構的MOCVD外延生長、GaN基材料中雜質缺陷研究等方面取得了多項成果。迄今共發表SCI論文130多篇，包括以第一/通訊作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上發表SCI論文45篇。在本領域國內外學術會議上做邀請報告20次，申請/授權國家發明專利15件。主持國家自然科學基金重點/優青/面上項目、科技部國家重點研發計劃課題，華為/北方華創等產學研合作項目，正在積極推動科研成果轉化。
默江輝，河北博威集成電路有限公司副總經理。公司主要從事微波/射頻混合集成電路及晶振電路的研發和生產。是國家有源、無源射頻集成電路生產基地，河北省高新技術企業，目前國內最大的微波/射頻集成電路供應商。公司主要面向無線通信市場，研發系列低成本晶振電路、射頻集成VCO、CRO，射頻集成PLL頻率合成器、低噪放LNA、濾波器、功率限幅器、功分器、I/Q調制器等。產品廣泛應用于各類無線通信系統中，如：PHS、GSM、CDMA、WCDMA、WLNA等系統，同時在各類頻率合成器、微波接收機、中頻的接收與處理等領域有著獨到的優勢。
張凱，博士，南京電子器件研究所研究員。2014年畢業于西安電子科技大學微電子學院，2015年加入南京電子器件研究所微波毫米波單片集成與模塊電路重點實驗室。他專注于探索創造新穎的、先進的GaN器件，包括高線性GaN器件、太赫茲GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前為止，典型成果包括國際第一個具有優異功率性能的GaN FinFET器件，國內截止頻率最高的SiC襯底上GaN器件、國際整體性能最優的Si基GaN高頻器件（以上結論依據源于已發表文章、會議等），成果曾經兩次被Semiconductor Today雜志專題報道。
更多論壇進展信息，敬請關注半導體產業網、第三代半導體產業！
附論壇詳細信息：
會議時間 : 2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業和信息化局
廈門市科學技術局
廈門火炬高新區管委會
惠新(廈門)科技創新研究院
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張 榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉 明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授
江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長
盛 況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波--電子科技大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
備注：11月15日前注冊報名，享受優惠票價！
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費。
＊IFWS相關會議：碳化硅功率電子、氮化鎵功率電子、超寬禁帶半導體、Mini/MicroLED技術；
＊SSL相關會議：半導體光源、半導體照明創新應用、Mini/MicroLED技術；
＊IFWS會議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報名通道：
組委會聯系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會/參展/商務合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協議酒店：
