碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體具有諸多優勢，碳化硅電力電子器件優異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機節能、電動汽車、智能電網、航天航空、石油勘探、自動化、雷達與通信等領域有很大應用潛力。隨著碳化硅電力電子器件技術的進步及產業化，將在高壓電力系統等領域開辟全新應用，迎來新的發展機遇。
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設有七大主題技術分會，以及多場產業峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。
目前，作為IFWS的重要分會之一的“碳化功率器件及其封裝技術分會“日程出爐，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、 清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司的協辦支持。分會上，來自北卡羅來納州立大學、日本大阪大學、西安交通大學、浙江大學、復旦大學、山東大學、湖南大學、廈門大學、天津工業大學、桂林電子科技大學、中國電子科技集團第五十五所、湖北九峰山實驗室、、中國科學院上海微系統與信息技術研究所、北京智慧能源研究院懷柔實驗室、三安光電、上海瞻芯電子、德國賀利氏電子、北方華創、華為數字能源、博睿光電等國內外實力派科研院所及企業代表性力量齊聚，共同探討碳化功率器件及其封裝技術前沿發展趨勢及最新動向。
分會日程詳情如下
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技術分論壇：碳化功率器件及其封裝技術
Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Power Electronics Devices and Packaging
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時間：2023年11月29日13:30-17:30、11月30日08:30-12:00
地點：廈門國際會議中心酒店 • 白鷺廳
Time: Nov 29, 13:30-17:30 & Nov 29th, 08:25-12:00
Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
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協辦支持/Co-organizer:
三安半導體 San'an Co.,ltd
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
北京北方華創微電子裝備有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd.
賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
清軟微視（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.
九峰山實驗室 JFS Laboratory
德國愛思強股份有限公司 AIXTRON
河北普興電子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD.
江蘇博睿光電股份有限公司 Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd.
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc
上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd.
清純半導體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
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主持人
Moderator
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盛況 / SHENG Kuang
浙江大學電氣工程學院院長、教授
Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang University
張清純 / Jon ZHANG
復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任、特聘教授
Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University
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13:25-13:30
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嘉賓致辭/VIP Address
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13:30-13:55
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SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level
Victor Valiads--Power Amarica 首席技術官、北卡羅來納州立大學教授
Victor Veliadis--Executive Director & CTO, PowerAmerica
Professor of North Carolina State University
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13:55-14:15
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提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優化途徑
Surface Optimization Approaches for Improving the Reliability of SiC MOS Devices
王德君--大連理工大學教授
Wang Dejun--Professor of Dalian University of Technology
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14:15-14:35
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產業鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能
How vertical integration empower the SiC power device foundry?
葉念慈--三安半導體技術總監
Nien-Tze Yeh--Director of Technology Development ,Sanan Semiconductor
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14:35-14:55
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碳化硅車載功率轉換解決方案
SiC Power Conversion Solutions in xEV
曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經理
CAO JUN--Vice President of InventChip Technology Co., Ltd.
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14:55-15:10
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750V SiC MOSFET元胞結構對器件特性的影響研究
Research of Cell Topology on Characteristics of 750V SiC MOSFETs
黃潤華--中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師
HUANG Runhua--Nanjing elctronics institute
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15:10-15:25
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茶歇 / Coffee Break
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15:25-15:45
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SiC功率模塊中微米級Ag燒結連接技術的進展
Progress of micron-sized Ag sinter joining technology in SiC power modules
陳傳彤--日本大阪大學副教授
Chuantong CHEN--Associate professor of Osaka University, Japan
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15:45-16:05
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碳化硅功率半導體多芯片封裝技術Packaging Technology for Multichip SiC Devices 王來利 西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授
WANG Laili Professor of Xi'an Jiaotong University
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16:05-16:25
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先進燒結解決方案
Advanced Sinter Solutions from Heraeus Electronics
董 侃--德國賀利氏電子功率市場經理
Derek DONG--Power Electronics Market Manager of Heraeus Electronics
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16:25-16:45
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新型碳化硅溝槽器件技術研究進展
Progress on the Research of next Generation Silicon Carbide Trench Power device
袁俊—湖北九峰山實驗室功率器件負責人
YUAN Jun--Head of Power Device of Hubei Jiufengshan Laboratory
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16:45-17:05
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面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案
Equipment and Process Solutions for SiC Power Devices
張軼銘--北京北方華創微電子裝備有限公司
ZHANG Yiming --R&D Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
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17:05-17:20
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具有分離保護溝槽柵的超低導通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術
Ultra-Low On-Resistance SiC LDMOS With Separated-Protected Trench Gates
and Trench RESURF Technology
張鑾喜--浙江大學
Zhang Jianxi--Zhejiang University
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17:20-17:35
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1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復The Degradation and Recovery of 1200-V SiC MOSFET with Different Total Ionizing Doses
張園覽--復旦大學
ZHANG Yuanlan--Fudan University
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17:35-17:50
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總電離劑量輻射對1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩定性的影響Total Ionizing Dose Radiation Effect on Avalanche Robustness of 1200V Trench-type SiC power MOSFETs
陳家祺--湖南大學
CHEN Jiaqi--Hunan University
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17:50-18:05
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一種新型短超結碳化硅絕緣柵雙極晶體管A Novel Silicon Carbide Insulated Gate Bipolar Transistor with Short Super Junction
張國良--廈門大學
ZHANG Guoliang--Xiamen University
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30日 / Nov 30
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協辦支持/Co-organizer:
三安半導體 San'an Co.,ltd
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
北京北方華創微電子裝備有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd.
賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
清軟微視（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.
九峰山實驗室 JFS Laboratory
德國愛思強股份有限公司 AIXTRON
河北普興電子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD.
江蘇博睿光電股份有限公司 Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd.
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc
上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd.
清純半導體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
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主持人
Moderator
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盛況 / SHENG Kuang
浙江大學電氣工程學院院長、教授
Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang University
張清純 / Jon ZHANG
復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任、特聘教授
Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University
王德君/WAND Dejun
大連理工大學教授
Professor of Dalian University of Technology
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08:25-08:30
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嘉賓致辭/VIP Address
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08:30-08:50
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新型溝槽SiC基MOSFET器件研究
Research on Novel SiC trench MOSFETs
張峰--廈門大學教授
ZHANG Feng--Professor of Xiamen University
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08:50-09:10
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一種用于SiC功率器件的高效復合結終端
A High Efficiency Composite Junction Termination for SiC Power Devices
金銳--北京智慧能源研究院懷柔實驗室功率半導體部負責人
JIN Rui-- Head of Power Semiconductor Department, Beijing Institute of Smart Energy, Huairou Laboratory
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09:10-09:30
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4H-SiC高質量柵氧氮化退火研究
Study of high-quality gate oxidation on 4H-SiC by nitride annealing
徐明升--山東大學教授
XU Mingsheng—Professor of Shandong University
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09:30-09:45
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一種用于SiC功率MOSFET的自調整消隱時間短路保護電路
A Self-Adjustable Blanking Time Short Circuit Protection Circuit for SiC Power MOSFETs
劉天天--中國科學院上海微系統與信息技術研究所
LIU Tiantian--Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
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09:50-10:05
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1200V平面SiC MOSFET短路魯棒性的結構分析Structure Analysis on the Short-circuit Robustness for 1200V Planar SiC MOSFETs
常一飛 復旦大學
CHANG Yifei Fudan university
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10:05-10:20
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茶歇 / Coffee Break
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10:20-10:40
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TBD
徐菊 華為數字能源電子裝聯Lab主任
XU Ju Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.
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10:40-11:00
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SiC功率器件板級封裝的熱和熱-機械可靠性協同設計
Thermal and Thermal-Mechanical Oriented Reliability Co-design of SiC Power Device Panel-level Packaging
樊嘉杰--復旦大學青年研究員
Jiajie FAN--Youth Researcher of Fudan University
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11:00-11:20
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面向功率器件封裝的高性能AlN陶瓷材料研究
Development of high performance AlN ceramic for multiply appliation
梁超--江蘇博睿光電股份有限公司副總經理
LIANG Chao-- Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
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11:20-11:40
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基于納米銀焊膏的碳化硅器件高散熱封裝互連方法研究
Development nano-silver paste for high heat dissipation packaging of SiC devices
張博雯 天津工業大學副教授
ZHANG Bowen Associate Professor of Tiangong University
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11:40:11:55
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基于頻域阻抗分析的碳化硅及氮化鎵功率器件失效檢測方法研究
Research on Failure Detection Method for SiC and GaN Power Devices based on Frequency Domain Impedance Analysis
贠明輝--桂林電子科技大學
YUN Minghui--Guilin University of Electronic Technology
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午休
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（備注：本場會議日程仍在調整中，僅供參考，最終以現場為準！）
部分嘉賓
盛況
浙江大學電氣工程學院院長、教授
盛況，浙江大學電氣工程學院院長、教授。長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應用研究，包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網、軌道交通、新能源汽車、工業電機、各類電源等領域中的應用，2009年回國創建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發的團隊。?團隊承擔了電力電子器件及應用領域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發計劃項目及課題、自然科學基金委杰出青年基金、自然科學基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結SiC肖特基二極管設計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質因子FOM達國際前列）SiC超級結二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結構并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發了高壓大容量硅基IGBT芯片等。團隊也和國內外著名企業開展合作推進成果的產業化，合作企業包括國家電網、中車、中電集團、華為、華潤微電子、臺達、德國英飛凌、美國福特等公司，實現了碳化硅和硅基電力電子芯片的產業化。
張清純
復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任、特聘教授
張清純，復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任、特聘教授。長期從事SiC器件的研發和產業化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領域專著；作為第一和合作發明人，擁有75多項美國專利；多次擔任ISPSD技術委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術路線圖研討會聯合主席等。研究方向：半導體物理與器件；寬帶半導體器件物理、工藝、測試、產業化及應用；器件模擬及仿真；電力系統。
Victor Valiads
Power Amarica 首席技術官、北卡羅來納州立大學教授
Victor Valiads，Power Amarica 首席技術官、北卡羅來納州立大學教授。美國電力是美國能源部寬禁帶電力電子公私合營制造機構。Veliadis博士管理著超過3000萬美元每年的預算，他戰略性地分配了超過35個工業、大學和國家實驗室項目，以使美國在寬禁帶電力電子制造，勞動力發展，創造就業和節約能源方面處于領先地位。Victor VELIADIS博士在2016年被任命為Power America的副執行董事兼首席技術官之前，Veliadis博士在半導體行業工作了21年，他的工作內容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半導體閘流管、JBS、肖特基二極管、和1-12 kV范圍內的PiN二極管的設計、制造和測試。
陳傳彤
日本大阪大學副教授
陳傳彤，日本大阪大學副教授。研究興趣包括無鉛焊接、Ag燒結連接、納米連接、3D封裝和電力電子封裝。在上述領域發表SCI期刊論文110余篇，IEEE會議論文70余篇。陳教授獲得了一些獎項和榮譽，包括IEEE EMPC最佳海報獎、2023年IEEE ICEP杰出技術論文獎和2019年IEEE CPMT日本分會青年獎。他還申請并獲得了15項日本和國際專利，其中包括3項美國專利。陳教授自2020年起擔任IEEE ICEPT的技術委員會成員，并擔任日本電子封裝學會關西分會的委員會成員。
王德君
大連理工大學教授
王德君，大連理工大學教授。研究方向涉及三代半導體SiC電子器件制造測試技術及裝備； SiC半導體缺陷物理學；集成電路技術。技術領域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術及裝備；SiC半導體表面干法清洗技術及裝備。
黃潤華
中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師
黃潤華，中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師。多年來一直從事高壓大功率碳化硅功率器件研制開發工作。承擔了多項科研任務，江蘇省重點研發計劃、預研、型譜、新品、基金等項目負責人。江蘇省“333”高層次人才，CASA三代半導體卓越新青年。獲國防科技進步二等獎、電工技術學會科學技術發明獎一等獎、北京市科學技術獎二等獎、電子學會科學技術獎三等獎等獎項，主要從事SiC相關的器件設計、關鍵工藝開發及工藝整合、器件測試及可靠性評估工作。開發出650V-6500V/25mΩ-1000mΩ SiC MOSFET和650V-6500V/1A-100A SiC SBD產品技術。
王來利
西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授
王來利，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授。主要研究電力電子集成技術；2013年7月，被皇后大學特聘為研究員；2014年1月起，進入加拿大勝美達科技；2017年3月，全職回到西安交通大學。研究領域或方向包括：寬禁帶功率半導體器件封裝集成及其應用；高頻高效高溫電力電子變換技術；智能化檢測器件與檢測方法；無線電能傳輸。
葉念慈
三安半導體技術總監
葉念慈，三安半導體技術總監。專長于化合物半導體器件的制作與設計, 特別是在化合物半導體外延包括有機金屬氣相沉積與分子束外延已有20 年以上之經驗。另外光電器件設計制作、半導體器件制造也是其專業知識技能。其在臺灣中華電信股份有限公司電信研究所擔任過研究員，并在臺灣專業氮化鎵化合物半導體公司及其它半導體單位擔任首席技術與研發管理崗位。其在臺灣中央大學任職教授級特殊技術人員期間, 負責建立和運作先進電力電子實驗室。2016 年2 月1 日被授予“廈門市臺灣特聘專家”榮譽稱號。
樊嘉杰
復旦大學青年研究員
樊嘉杰，復旦大學青年研究員。博士生導師。香港理工大學和美國馬里蘭大學聯合培養博士，荷蘭代爾夫特理工大學博士后/CSC公派訪問學者/客座研究員。主要研究方向第三代半導體封裝及可靠性。獲全國“第三代半導體卓越創新青年”稱號、入選江蘇省科協“青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。
梁超
江蘇博睿光電股份有限公司副總經理
梁超，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理，博士，研究員高工。先后入選“江蘇省333高層次人才培養工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計劃高層次創新領軍人才；獲江蘇省科學技術進步二等獎1項、南京市科學技術進步二等獎1項等。主要研究方向第三代半導體光電材料，在發光材料方向開發出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個色系熒光粉，為高光品質照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐；研究并開發出具有高導熱系數的AlN陶瓷基板及配套關鍵技術。共申請發明專利68件，授權發明專利54件（3件PCT專利分別于美國、韓國獲得授權），發表SCI收錄論文7篇，EI收錄論文6篇。
董侃
德國賀利氏電子功率市場經理
董侃，德國賀利氏電子功率市場經理。近二十年跨國公司從業經歷，深耕電子及半導體行業，多年消費電子，汽車電子及功率電子的Marketing經驗，熟悉行業發展趨勢。
曹峻
上海瞻芯電子科技有限公司副總經理
曹峻，上海瞻芯電子科技有限公司副總經理。主要分管公司市場推廣，現場應用支持和銷售服務。逾20年半導體行業技術、市場和銷售管理經驗，服務過多家晶圓廠和芯片設計公司。善于從半導體材料特性、工藝器件平臺開發、芯片設計和封裝設計，以及電力電子拓撲圖等多維度多領域，分析和研究碳化硅功率器件的新興市場與應用。
張峰
廈門大學教授
張峰，廈門大學教授，博士生導師、國家青年“973”計劃首席科學家。從事寬禁帶半導體SiC材料與器件研究工作并取得系統性研究成果：率先研制10kV p溝道SiC IGBT器件，成功研制工業化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。國際上率先將1200V SiC肖特基二極管其應用到電動汽車充電樁中。同時，圍繞寬禁帶半導體光電探測器及單光子探測器的基本科學問題，研究提高探測器量子效率的物理機理與規律。先后獲中國科學院青年創新促進會優秀會員、第三代半導體卓越創新青年、福建省杰出青年科學基金等獎勵和榮譽。
徐明升
山東大學教授
袁俊
湖北九峰山實驗室功率器件負責人
張軼銘
北方華創科技集團股份有限公司博士
金銳
北京智慧能源研究院懷柔實驗室功率半導體部負責人
更多論壇進展信息，敬請關注半導體產業網、第三代半導體產業！
附論壇詳細信息：
會議時間 : 2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業和信息化局
廈門市科學技術局
廈門火炬高新區管委會
惠新(廈門)科技創新研究院
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張 榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉 明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授
江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長
盛 況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波--電子科技大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
日程總覽：
備注：更多同期活動正在逐步更新中！
注冊參會：
備注：11月15日前注冊報名，享受優惠票價！
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費。
＊IFWS相關會議：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術，氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術，碳化功率器件及其封裝技術I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導體技術，化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊SSL技術會議：光品質與光健康醫療技術，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術，半導體照明芯片、封裝及光通信技術，氮化物半導體固態紫外技術，光農業與生物技術,化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊IFWS會議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報名通道：
組委會聯系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會/參展/商務合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協議酒店：
