2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
作為國內首家以液相法為核心技術生長SiC晶體的企業晶格領域將亮相本屆盛會。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”技術論壇上，北京晶格領域半導體有限公司總經理張澤盛將帶來“液相法碳化硅單晶生長技術研究”的主題報告，分享最新技術研究成果與發展趨勢，誠邀業界同仁共聚本屆盛會，交流互通，同議產業發展的現在與未來。
張澤盛，北京晶格領域半導體有限公司執行董事監總經理，博士，2023年獲得北京市科技新星榮譽稱號。已發表SCI論文6篇，申請發明專利17項（已授權3項）。自2016年起開始進行液相法生長碳化硅晶體技術研究，結合液相法生長晶體的技術特點改造設計了液相法碳化硅單晶生長爐，并針對液相法碳化硅單晶生長的生長方法、溫場控制、助溶液配比、籽晶粘接與選取、籽晶旋轉、籽晶提拉等晶體生長工藝進行了大量且深入的基礎研究，成功實現晶體尺寸從2英寸快速突破到6英寸，在晶體生長速度、生長質量以及生長厚度方面也取得了巨大進步，達到國際領先水平。2020年6月，創立了國內首家采用液相法技術制備SiC襯底的企業—北京晶格領域半導體有限公司，實現了液相法碳化硅生長產業化技術成果轉化落地，目前已建成的實驗線具備年產超5000片碳化硅單晶襯底的生產能力。在液相法生長碳化硅單晶技術方面取得了重大突破，襯底質量逐步接近市場化需求，已經開始進行下游驗證，在國內首次攻克了液相法SiC晶體生長產業化技術，即將進入產業化擴產階段。該技術大范圍推廣將推動SiC產業發展。
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技術分論壇：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術
Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
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時間：2023年11月29日08:25-12:00
地點：廈門國際會議中心酒店 • 白鷺廳
Time: Nov 29, 08:25-12:00
Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
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協辦支持/Co-organizer:
三安半導體 San'an Co.,ltd
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
北京北方華創微電子裝備有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd.
賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
清軟微視（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.
九峰山實驗室 JFS Laboratory
德國愛思強股份有限公司 AIXTRON SE
河北普興電子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
Moderator
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徐現剛 / XU Xiangang
山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University
馮 淦 / FENG Gan
瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經理
General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd.
陳小龍/CHEN Xiaolong
中國科學院物理研究所研究員
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
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08:25-08:30
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嘉賓致辭 / Opening Address
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08:30-08:50
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利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體
Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC
Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.執行總裁
Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd.
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08:50-09:10
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200 mm 4H-SiC高質量厚層同質外延生長
200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth
薛宏偉--河北普興電子科技股份有限公司總經理
XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd
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09:10-09:30
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High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide
碳化硅6/8英寸高產能外延解決方案
方子文--德國愛思強股份有限公司中國區總經理
FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China
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09:30-09:50
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大尺寸SiC單晶的研究進展Research progress of 8-inch SiC single crystal
楊祥龍--山東大學副教授/南砂晶圓技術總監
YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd
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09:50-10:10
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化合物半導體襯底和外延缺陷無損檢測技術 Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy
周繼樂--清軟微視（杭州）科技有限公司 總經理
ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd
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10:10-10:25
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茶歇 / Coffee Break
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10:25-10:45
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時間分辨光譜技術及其在SiC材料檢測中的應用
Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing
金盛燁--中國科學院大連理化所研究員、大連創銳光譜科技有限公司董事長
JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd
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10:45-11:05
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8英寸碳化硅襯底產業化進展
Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate
趙麗麗--哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長
ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc.
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11:05-11:25
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精細石墨——半導體材料制造之柱
Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture
吳厚政--賽邁科電子股份有限公司CTO
WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation
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11:25-11:45
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液相法碳化硅單晶生長技術研究
Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method
張澤盛--北京晶格領域半導體有限公司總經理
ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd
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11:45-12:00
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碳化硅襯底粗研磨和精研磨工藝及耗材技術
SiC Substrate Coarse Lapping and Fine Lapping Processes and Consumables
苑亞斐 北京國瑞升科技集團股份有限公司研發總監
YUAN Yafei R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd
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12:00-12:15
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熱壁反應器在4°離軸襯底上生長150mm低表面粗糙度4H-SiC外延層
Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates
閆果果--中國科學院半導體所助理研究員
YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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12:00-13:25
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午休 / Adjourn
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（備注：本場會議日程仍在調整中，僅供參考，最終以現場為準！）
晶格領域半導體有限公司于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）襯底研發、生產及銷售于一體，北京市及順義區重點關注的創新型高技術企業。 晶格領域是國內首家以液相法為核心技術生長SiC晶體的企業，掌握具有自主知識產權的液相法SiC晶體生長技術。相較當前主流的物理氣相傳輸法晶體生長技術，液相法能有效提高晶體質量，降低生產成本，并能有效解決目前行業內高質量4H-p型和3C-n型SiC襯底的產業化難題。此外，該方法對于推動寬禁帶半導體產業發展具有重要意義。
公司已建成液相法碳化硅襯底制備試驗線，并成功生長出4-6英寸4H-p型SiC晶體。2023年，公司進一步開發了2-4英寸3C-n型SiC晶體的液相生長技術，6英寸也在研發中。兩種產品的尺寸、質量與厚度均處于國際領先水平。公司注重人才發展，擁有多種人才發展渠道，勵志打造一支技術過硬、業務精湛的專業技術團隊，發展成為國際一流的SiC襯底企業，促進第三代半導體產業發展。
更多論壇內容、活動及嘉賓信息，敬請關注半導體產業網、第三代半導體產業！
附論壇詳細信息：
會議時間 : 2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業和信息化局
廈門市科學技術局
廈門火炬高新區管委會
惠新(廈門)科技創新研究院
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張 榮--廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉 明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授
江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長
盛 況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波--電子科技大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
日程總覽：
備注：更多同期活動正在逐步更新中！
注冊參會：
備注：11月15日前注冊報名，享受優惠票價！
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費。
＊IFWS相關會議：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術，氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術，碳化功率器件及其封裝技術I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導體技術，化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊SSL技術會議：光品質與光健康醫療技術，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術，半導體照明芯片、封裝及光通信技術，氮化物半導體固態紫外技術，光農業與生物技術,化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊IFWS會議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報名通道：
組委會聯系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會/參展/商務合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協議酒店：
