氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件。GaN功率器件技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景，可以提高系統(tǒng)效率、減小體積，并推動(dòng)電力電子技術(shù)的發(fā)展。

2023年11月28日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國(guó)際會(huì)議中心盛大開幕。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

開幕大會(huì)上，英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron分享了《高性能GaN功率器件高可靠性和低成本》的主題報(bào)告，GaN功率器件使功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（AC/DC、DC/DC等）比硅功率器件更小、更高效、更簡(jiǎn)單，從而更便宜，從而徹底改變了功率半導(dǎo)體行業(yè)。然而，關(guān)于GaN功率器件仍然存在一些神話，比如它們非常昂貴，可靠性值得懷疑。

報(bào)告介紹了通過利用規(guī)模經(jīng)濟(jì)，8英寸高通量制造晶圓廠完全致力于生產(chǎn)硅晶片上的8英寸GaN（即，相對(duì)于6英寸，每片晶片約2倍的器件），可以提供具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的GaN功率器件。同時(shí)介紹了innoscience的最新可靠性結(jié)果，包括失效測(cè)試和壽命提取，這將消除關(guān)于GaN功率器件可靠性的最后一個(gè)懸而未決的問題。通過展示如何利用離散（InnoGaN™) 和集成（SolidGaN™) Innoscience GaN功率器件增強(qiáng)了AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器的性能，以最大限度地提高其效率，同時(shí)減小其尺寸。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）