近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“超寬禁帶半導體技術分會“上，武漢大學馮嘉仁分享了“高通量方法輔助篩選和預測半導體界面結構——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例”的主題報告。

功率電子器件廣泛應用于電能傳輸變換各個環節，在各大電能相關領域應用廣泛。高性能功率電子器件可以降低電能傳輸變換過程中損耗，助力“雙碳”目標。氧化鎵是一種多變的半導體材料，它有六種不同的晶相，其中最穩定的是β相。β相氧化鎵可以通過熔融法生長出大尺寸的單晶襯底，這對于制作高性能的功率器件非常有利，其研究備受關注，也面臨著β-Ga2O3材料界面建模等挑戰。

報告以β-Ga2O3 /AlN 界面為例，分享了高通量方法輔助篩選和預測半導體界面結構的研究成果，涉及界面結構預測、界面篩選、界面批量生成、界面穩定性討論、能帶對齊等內容。研究開發了半導體界面結構高通量搜索軟件包（IPG），以Ga2O3 /AlN界面為例驗證軟件功能，從70862440個構型中，搜索出若干晶面的界面結構，電子結構、能帶對齊分析與實驗值吻合，IPG軟件包具有普適性（金屬/半導體界面、介質/半導體界面）， 為電子器件的高效設計提供了理論支撐，加速材料設計。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）