SiC MOSFET器件存在可靠性問(wèn)題，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。SiC MOSFET器件可靠性制造存在諸多 難題，其中柵氧及其界面缺陷成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)“上，大連理工大學(xué)教授王德君帶來(lái)了”碳化功率器件及其封裝技術(shù)“的主題報(bào)告，分享了”SiC MOSFET器件可靠性問(wèn)題及其根源“、”SiC 半導(dǎo)體表面缺陷的遺傳效應(yīng)“、 ”SiC 半導(dǎo)體表面處理效果“、 ”表面處理優(yōu)化SiC MOS器件可靠性“等內(nèi)容。

其研究基于表界面缺陷研究， 提升SiC MOS器件性能穩(wěn)定性可靠性。推進(jìn)了測(cè)試分析診斷、柵氧/金屬工藝優(yōu)化、制造技術(shù)及裝備、測(cè)試技術(shù)及儀器等工作。 SiC MOSFET 器件可靠性和應(yīng)用失效的根源：器件的偏壓溫度應(yīng)力不穩(wěn)定性（BTI）問(wèn)題。BTI本質(zhì)上與SiC半導(dǎo)體柵氧界面/近界面缺陷直接相關(guān)。

對(duì)于SiC MOSFET器件可靠性問(wèn)題及其根源，涉及SiC MOS器件電學(xué)特性及柵氧缺陷分析，SiC MOS器件柵氧化技術(shù)解決方案，SiC 半導(dǎo)體器件可靠性制造技術(shù)及裝備，半導(dǎo)體器件測(cè)試技術(shù)及儀器。開(kāi)發(fā)了SiC MOS器件柵氧化新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在大場(chǎng)強(qiáng)高溫長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)力作用下的器件穩(wěn)定性。明晰了N、H、O、Cl等多種元素在SiC半導(dǎo)體氧化和界面缺陷鈍化中的作用及缺陷物理機(jī)制。為產(chǎn)業(yè)優(yōu)化柵氧工藝制程提供了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。

SiC 半導(dǎo)體表面缺陷的遺傳效應(yīng)研究方面，涉及表面缺陷構(gòu)型、表面初始氧化構(gòu)型（氧覆蓋度為1 ML），SiO2/SiC界面構(gòu)型（含Ci的表面），SiO2/SiC界面構(gòu)型（含CSi的表面），SiO2/SiC界面構(gòu)型（含Vc的表面）。

表面處理優(yōu)化SiC MOS器件可靠性方面，涉及歐姆電極工藝前襯底處理，SiC歐姆電極性能優(yōu)化。刻蝕后處理，SiC MOS器件性能優(yōu)化。外延前處理，改善外延質(zhì)量。柵氧先進(jìn)技術(shù)應(yīng)用。其中，開(kāi)展了柵介質(zhì)工藝優(yōu)化的初步研究，分析界面鈍 化技術(shù)對(duì)柵介質(zhì)可靠性的影響。結(jié)果表明，表面界面鈍化對(duì)提高柵介質(zhì)性能及可靠性具有一定的改善效果。 

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）