12月18日，漢軒微電子制造（江蘇）有限公司（簡稱“漢軒微電子”）漢軒車規(guī)級功率器件制造項目在徐州高新區(qū)正式開工建設(shè)。該項目建成后將進一步完善徐州高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，有力推動車規(guī)級功率器件發(fā)展。

漢軒車規(guī)級功率器件制造項目是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，可滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，項目規(guī)劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規(guī)劃晶圓月產(chǎn)能超過6萬片，預(yù)計可實現(xiàn)年銷售收入約13.8億元。

“未來，漢軒微電子車規(guī)功率器件制造生產(chǎn)基地將通過項目建設(shè)加速提升企業(yè)競爭力，幫助塑造良好且完整的產(chǎn)業(yè)鏈；同時助力高新區(qū)產(chǎn)業(yè)優(yōu)化，打造電子信息產(chǎn)業(yè)新高地。”漢軒微電子制造（江蘇）有限公司董事長李雨庭表示。

資料顯示，近年來，徐州高新區(qū)積極搶抓行業(yè)戰(zhàn)略機遇期，將電子信息產(chǎn)業(yè)作為主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，重點發(fā)力第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體裝備、高端電力電子器件和新一代顯示系統(tǒng)四大細分領(lǐng)域，并前瞻性布局第四代半導(dǎo)體；先后引入集芯碳化硅材料、先導(dǎo)薄膜等半導(dǎo)體材料項目，仟目半導(dǎo)體激光芯片、致能氮化鎵功率芯片等第三代半導(dǎo)體制造項目，普達特半導(dǎo)體清洗設(shè)備、先導(dǎo)沉積及鍍膜設(shè)備、芯愷半導(dǎo)體設(shè)備等半導(dǎo)體裝備制造項目，半導(dǎo)體裝備和第三代半導(dǎo)體集群優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)。

徐州高新區(qū)表示，未來將繼續(xù)加大對中小型半導(dǎo)體企業(yè)的支持力度，鼓勵企業(yè)自主創(chuàng)新和技術(shù)攻關(guān)；加大對半導(dǎo)體材料、設(shè)備、應(yīng)用等領(lǐng)域企業(yè)的招商力度，推動上下游企業(yè)聯(lián)動、協(xié)同發(fā)展，構(gòu)建良好的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，不斷提升高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)的競爭力和影響力。

(來源：上海證券報·中國證券網(wǎng))