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三安光電臧雅姝:固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

日期:2024-01-08 閱讀:410
核心提示:廈門三安光電有限公司芯片開發(fā)部經(jīng)理兼工藝處處長臧雅姝分享了“固態(tài)紫外線(UVA/B/C)光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)”。其研究工作中,重點聚焦高晶體質(zhì)量AlxGa1-xN外延技術(shù),通過采用NPSS和超晶格插入層等測量減少量子結(jié)構(gòu)的缺陷和應(yīng)力;并創(chuàng)新引入高反射電極體系來提升LED器件的光子提取效率,從而推動紫外(UVA/B/C)全線產(chǎn)品在性能上獲得突破。

 在過去的十年里,固態(tài)照明行業(yè)創(chuàng)造了數(shù)萬億美元的收入,引領(lǐng)了全球照明領(lǐng)域的能源革命。然而,傳統(tǒng)的固態(tài)照明應(yīng)用已經(jīng)日趨成熟,市場也逐漸飽和。新一代紫外特殊照明、植物照明、車用照明、小間距顯示等多元化高端應(yīng)用市場逐漸興起,成為固態(tài)照明領(lǐng)域新的增長點和爆發(fā)點。UVA波段365~405nm,2021年需求24萬片,2026年預(yù)計達(dá)65萬片,固化市場需求穩(wěn)步遞增;UVC波段265~285nm,2019-2020年疫情下UVC迎來爆發(fā)式增長,2021后有所回落進(jìn)入新的調(diào)整期,行家說統(tǒng)計報道,UVC芯片需求2021年約6萬片(2“) ,2026年預(yù)計達(dá)25萬片。UVB波段300~320nm,除大家熟知的植照和醫(yī)療應(yīng)用外,業(yè)內(nèi)也在積極開拓功率短波固化應(yīng)用市場。

 臧雅姝

在近期第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)上,期間“光醫(yī)療與紫外LED創(chuàng)新應(yīng)用峰會”上,廈門三安光電有限公司芯片開發(fā)部經(jīng)理兼工藝處處長臧雅姝做了“固態(tài)紫外線(UVA/B/C)光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)”的主題報告,分享了最新研究進(jìn)展。

 

紫外LED光源波長從250nm至420nm,跨越了UVA、UVB、UVC三個紫外波段。盡管紫外固態(tài)光源已在工業(yè)和消費電子方面獲得了廣泛的應(yīng)用,但是不同波段的紫外LED光源在規(guī)模化生產(chǎn)上仍存在不同的技術(shù)挑戰(zhàn)。UVA波段的光源器件當(dāng)前已可實現(xiàn)較高的電光轉(zhuǎn)換效率,成功取代汞燈光源成為光固化和光催化等應(yīng)用領(lǐng)域的第一選擇,但是,UVA固態(tài)光源的電光效率的仍有較大的提升空間。而對于UVB和UVC波段的LED器件,隨著量子結(jié)構(gòu)Al組分含量升高,高晶體質(zhì)量、高穩(wěn)定性的材料制備存在的挑戰(zhàn)越來越高。同時,UVC波段深紫外LED器件如何降低自吸收,突破光提取效率也是提升WPE的關(guān)鍵。其研究工作中,重點聚焦高晶體質(zhì)量AlxGa1-xN外延技術(shù),通過采用NPSS和超晶格插入層等測量減少量子結(jié)構(gòu)的缺陷和應(yīng)力;并創(chuàng)新引入高反射電極體系來提升LED器件的光子提取效率,從而推動紫外(UVA/B/C)全線產(chǎn)品在性能上獲得突破。 

報告中詳細(xì)介紹了UVA芯片技術(shù)領(lǐng)域的改進(jìn)計劃、DUV芯片技術(shù)領(lǐng)域的改進(jìn)計劃、紫外線產(chǎn)品和應(yīng)用市場的最新進(jìn)展,涉及385/395 nm波段產(chǎn)品技術(shù)階段進(jìn)展、365 nm波段產(chǎn)品技術(shù)階段進(jìn)展、DUV產(chǎn)品技術(shù)階段進(jìn)展、底層AlN quality 改善材料缺陷密度、AlN Void Structure 增強光提取、高能低耗深紫外元件研發(fā)等內(nèi)容。 

其中,高能低耗深紫外元件研發(fā)中的“n-Ga(Al)N 電極體系歐姆接觸形成機理研究”,n型高Al組分AlGaN與傳統(tǒng)Ti基金屬電極高溫退火時,界面處易形成TiN島。Au會沿TiN島表面擴散到AlGaN材料內(nèi)形成AuGa化合物,進(jìn)而在金-半界面形成空隙、降低金屬電極膜層的平整度。設(shè)計n type電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化熔合條件有效改善平整度、同時減少接觸阻抗。探索高效能芯片疊層結(jié)構(gòu)解決高Al組分AlGaN摻雜困難導(dǎo)致載流子遷移率低的問題;優(yōu)化n hole 尺寸r和n to n距離d實現(xiàn)最低n type接觸阻抗和最佳擴展電流,實現(xiàn)WPE ~17%提升。

嘉賓簡介

臧雅姝,博士,高級工程師,現(xiàn)任職廈門三安光電有限公司芯片開發(fā)部經(jīng)理兼工藝處處長,廈門大學(xué)產(chǎn)教融合平臺企業(yè)導(dǎo)師。主要負(fù)責(zé)藍(lán)光LED、深紫外LED、Mini背光/顯示、車燈LED系列等高端固態(tài)光源研發(fā),具備豐富的芯片結(jié)構(gòu)和新技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗。現(xiàn)主持國家重點研發(fā)計劃項目子課題1項(課題負(fù)責(zé)人),廈門市重大科技計劃項目1項(項目負(fù)責(zé)人兼課題一負(fù)責(zé)人)。

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