據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請一項名為“一種高動態(tài)穩(wěn)定性的GaN器件“，公開號CN117410327A，申請日期為2023年1月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高動態(tài)穩(wěn)定性的GaN器件，在GaN HEMT的柵極帽層上采用歐姆接觸電極?介質(zhì)層?柵極互連金屬的結(jié)構(gòu)，該歐姆接觸電極至少與第一耗盡型器件或電阻相連。在器件開啟過程中，歐姆接觸電極的存在能夠消除閾值電壓漂移，在柵極電壓進(jìn)一步增大時，由第一耗盡型器件或電阻承受過高的柵極電壓，有效抑制柵極電流；且柵極互連金屬與歐姆接觸電極之間通過介電層形成一個大電容，從而提高柵極的驅(qū)動速率。所述GaN器件進(jìn)一步包括第二耗盡型器件，以在關(guān)斷過程中釋放GaN HEMT柵極帽層中積累的正電荷。本發(fā)明可以增大GaN HEMT的驅(qū)動電壓擺幅，降低驅(qū)動電流，消除閾值電壓漂移現(xiàn)象，從而提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性。