近日，江蘇南京江寧開發區總投資10億元的國博射頻集成電路產業化二期項目正在緊鑼密鼓進行地下室主體結構施工。江寧發布消息顯示，該項目總建筑面積約15.9萬平方米，預計明年7月份主體封頂，2026年正式投產，將為推動國產射頻集成電路產品在5G移動通信市場上實現國產化作出積極貢獻。

江寧發布消息顯示，國博射頻集成電路產業化二期項目由中國電子科技集團公司第五十五研究所控股子公司南京國博電子有限公司投資建設。項目主要包括廠房及相關附屬設施，重點補充射頻集成電路封測制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規模化設計、制造能力，努力打造成為寬禁帶半導體器件及模塊國內最大供應商、5G通信技術國內發展主要引領者。

據悉，該項目將發揮五十五所在半導體外延材料、射頻集成電路設計、第二、三代半導體射頻集成電路產業等方面的突出優勢，打造涵蓋材料、設計、加工、封裝測試的全產業鏈射頻集成電路產業集群。

據悉，江寧開發區是國內較早布局第三代半導體產業的開發園區，也是全市第三代半導體產業鏈布局最完備的板塊。目前，該產業板塊已集聚數十家頭部關聯企業，“鏈條”已初步打通建成。為了加速該產業鏈“強鏈補鏈延鏈”，江寧開發區專門成立第三代半導體產業專班，圍繞材料、設備、器件設計與制造、器件與模塊、應用五個環節和襯底、外延、材料、封裝等23個細分方向大力招商。2023年全年，園區新引進英諾賽科、沅程芯電子、博銳半導體、兆熠科技、中電鵬程半導體、芯干線、桑德斯微電子等一批產業項目。