高功率半導體單管芯片作為激光器核心元器件，其功率大小是決定激光系統體積和成本的關鍵因素。經過多年的技術迭代，2023年激光器商用芯片的功率已達到50W。目前，更高功率的芯片仍然是行業內追逐的焦點，代表著芯片綜合技術能力的發展水平。

1月27日，長光華芯宣布其超高功率單管芯片在結構設計與研制技術上取得突破性進展，研制出的單管芯片室溫連續功率超過100 W（芯片條寬 500 μm），工作效率62%。據了解，這是迄今為止已知報道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級單管芯片新紀元。

圖 500μm 發光寬度芯片的功率效率曲線 來源：長光華芯

蘇州長光華芯光電技術股份有限公司成立于2012年，專注于研發和生產半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題。公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產品，在功率、亮度、光電轉換效率、壽命等方面屢次突破，獲多項專利，與全球先進水平同步。

圖 長光華芯IDM全流程工藝平臺和量產線 來源：長光華芯

目前，長光華芯已建成完全自主可控的從芯片設計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業之一，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。