中電二公司2月1日消息顯示，其承建的嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片研發及產業化項目FAB2首臺設備搬入儀式近日順利舉行。

據介紹，浙江嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片研發及產業化項目位于浙江嘉興南湖區，總投資1.3億元，項目擬通過新建廠房、潔凈車間及動力站、氣站、倉庫等配套設施，用于實施高壓特色工藝功率芯片的研發和產業化項目，具有科技含量高、產品應用前景廣、國產替代實力強等優勢。