據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件及其制備方法“，授權(quán)公告號(hào)CN117438297B，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件的制備方法包括以下步驟：提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底包括相對設(shè)置的正面和背面，在正面的半導(dǎo)體襯底中形成有非晶態(tài)硅區(qū)域；在非晶態(tài)硅區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成鎳膜層；從正面對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行兩次高溫退火工藝，以在非晶態(tài)硅區(qū)域的大部分中得到初始的鎳硅化合物層；從背面對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行激光退火工藝，以在整個(gè)非晶態(tài)硅區(qū)域得到最終的鎳硅化合物層。本發(fā)明在兩次高溫退火工藝之后再從背面執(zhí)行一次激光退火工藝可以更好的吸收熱量，以修復(fù)晶格，其相對于正面加熱，背面加熱可以更好的抑制鎳的進(jìn)一步擴(kuò)散，阻止過度硅化，從而可以減少缺陷，改善電阻Rc，并提高良率。