3月1日晚間，拓荊科技(688072)發布投建“高端半導體設備產業化基地建設項目”并變更部分募集資金用途投入該項目的公告。

具體來看，公司董事會同意投資建設“高端半導體設備產業化基地建設項目”，該項目以公司及全資子公司拓荊創益為實施主體，項目總投資額約為11億元，其中公司投資金額約為3.8億元，拓荊創益投資金額約為7.2億元。公司擬調減首發募投項目“先進半導體設備的技術研發與改進項目”募集資金承諾投資總額2億元，同時調減超募資金投資項目“半導體先進工藝裝備研發與產業化項目”的募集資金承諾投資總額5000萬元，并將上述調減的募集資金合計2.5億元投入“高端半導體設備產業化基地建設項目”，其余項目資金8.5億元由公司及拓荊創益自籌。

據披露，該項目建設周期預計為4年。談及必要性，拓荊科技認為，項目通過建設高端半導體設備產業化基地，支撐公司PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導體設備產品未來的產業化需求，進而滿足集成電路制造產線的擴產需求，有利于推動集成電路設備技術的發展，對于落實國家發展戰略規劃具有重要意義。此外，本項目將為現有研發成果及新工藝、新產品投入量產提供支撐條件，其有利于提升公司核心競爭力，鞏固公司在行業的領先地位。

從行業情況來看，根據SEMI預測，預計2024年全球半導體制造設備的銷售額達到1000億美元。縱觀半導體行業的發展歷史，雖然行業呈現明顯的周期性波動，但整體增長趨勢并未發生變化。在人工智能、大數據、智能駕駛、新能源等新興領域的快速發展拉動下，晶圓廠將持續進行資本開支，擴充產能，這將帶動半導體設備的市場需求量的增長。薄膜沉積設備作為集成電路晶圓制造的核心設備，具有較大的市場需求和增長空間。

公開資料顯示，拓荊科技一直專注于高端半導體專用設備的技術研發，自成立以來，公司始終堅持自主研發，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜設備產品系列，廣泛應用于國內集成電路邏輯芯片、存儲芯片等制造產線，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項國際先進的核心技術，構建了具有設備種類、工藝型號外延開發能力的研發平臺。

此前業績快報披露，2023年度公司實現營業收入27.05億元，同比增長58.60%；同期實現歸屬于母公司所有者的凈利潤6.65億元，同比增長80.38%；業績增長主要系公司持續高強度的研發投入，突破核心技術，在推進產業化和迭代升級各產品系列的過程中取得了重要成果，產品競爭力持續增強。

“公司本次新建項目通過提升公司半導體薄膜沉積設備的產能，可以進一步推動公司業務規模的持續增長，進而提升公司薄膜沉積設備的市場份額，抓住市場機遇，迅速擴大企業規模。”拓荊科技認為。

當日，公司還披露一份回購方案。公司擬以1.2億元至1.97億元回購股份，用于股權激勵或員工持股計劃，回購價格不超過270元/股（含）。