據國家知識產權局公告，比亞迪（002594）半導體股份有限公司申請一項名為“終端結構及其制造方法以及功率器件“，公開號CN117673117A，申請日期為2022年8月。

專利摘要顯示，本發明屬于半導體技術領域，特別是涉及終端結構及其制造方法以及功率器件。終端結構包括第一電極層、絕緣介質層、襯底和第二電極層，絕緣介質層、襯底和第二電極層層疊設置，襯底上設置有主結、摻雜場終止環、第一場限環和摻雜層，主結設置在襯底的內側，摻雜場終止環設置在襯底的外側，第一場限環環繞主結，摻雜層沿著第一場限環的一側的外壁延伸至第一場限環的底部；摻雜層的摻雜濃度大于襯底的摻雜濃度。本發明實施例提供的終端結構，摻雜層摻雜濃度大于襯底的摻雜濃度，能夠對電場具有牽引作用，從而減輕電場在絕緣介質層表面的集中作用，減小表面電場，提高擊穿電壓，提高耐壓值。