瞻芯電子官微消息，3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET芯片，具備業界較低的損耗水平，且驅動電壓為15V~18V，兼容性更好。這3款產品導通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅動電壓尖峰。這3款產品的型號及主要參數如下表：

瞻芯電子第二代SiC MOSFET

瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發的， 自2023年9月份發布第一款第二代SiC MOSFET產品以來，至今已有十幾款采用同代技術平臺的量產產品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品，對比上一代產品，通過優化柵氧化層工藝和溝道設計，讓器件的比導通電阻降低約25%，能進一步降低器件損耗，提升系統效率。

產品應用

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規級第二代650V SiC MOSFET系列產品，因其具備高速開關，且低損耗，以及良好的驅動兼容性等優秀特性，而能為功率變換系統提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于下列場景：

· 電機驅動

·光伏逆變器

· 車載直流變換器（DC/DC）

·車載充電機(OBC)

·開關電源