近日，據(jù)“湖北新聞”透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸SiC晶片及外延片、年產(chǎn)6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊。

據(jù)悉，2023年8月25日，武漢市東湖高新區(qū)管委會(huì)與長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議書(shū)。長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。

值得一提的是，2023年5月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面發(fā)力SiC賽道。當(dāng)年7月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體SiC戰(zhàn)略項(xiàng)目（KO）A樣品達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)，標(biāo)志著長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體擁有車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品自主研發(fā)能力。

據(jù)了解，長(zhǎng)飛先進(jìn)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái)，15mohm產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達(dá)3.4mΩ·cm2，躋身國(guó)際先進(jìn)水平。除此之外，長(zhǎng)飛先進(jìn)基于該平臺(tái)的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達(dá)80%。

2023年12月，長(zhǎng)飛先進(jìn)首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiC SBD正式進(jìn)入試產(chǎn)階段，標(biāo)志著長(zhǎng)飛先進(jìn)已具備SiC產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。